期刊在線咨詢服務(wù)，立即咨詢
購(gòu)物車(0)
F頻段三倍頻放大多功能芯片設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
關(guān)鍵詞：多功能芯片 f頻段 倍頻器 放大器
摘要：基于InP高電子遷移率晶體管(HEMT)工藝,研制了一款F頻段三倍頻放大多功能芯片。將三倍頻器與驅(qū)動(dòng)放大器級(jí)聯(lián),實(shí)現(xiàn)了F頻段三倍頻放大的單片集成。前端三倍頻器電路由輸入匹配電路、輸入低通濾波電路、并聯(lián)二極管對(duì)、輸出高通濾波電路與輸出匹配電路構(gòu)成,通過反向并聯(lián)二極管對(duì)實(shí)現(xiàn)三次倍頻,在優(yōu)化匹配前后級(jí)電路的同時(shí),通過輸入低通濾波器與輸出高通濾波器濾除三次諧波外的基波與各次諧波。后端所級(jí)聯(lián)的驅(qū)動(dòng)放大器采用四級(jí)管芯級(jí)聯(lián)的雙電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)來提高增益及輸出功率。測(cè)試結(jié)果表明,輸入頻率為30~47 GHz、輸入功率為15 dBm時(shí),輸出頻率為90~141 GHz,輸出功率大于6 dBm,輸入回波損耗小于-13 dB,輸出回波損耗小于-6 dB。芯片尺寸為4.40 mm×1.60 mm×0.07 mm。
半導(dǎo)體技術(shù)雜志要求:
{1}本刊將對(duì)一稿兩投者表示公開譴責(zé)，通知作者單位，并2年內(nèi)拒絕該文第一作者的任何來稿。
{2}摘要(200～400字，需有簡(jiǎn)明的研究目的、研究方法、結(jié)果、結(jié)論等，不少于200字)。中英文。
{3}作者應(yīng)對(duì)稿件中的史實(shí)、錯(cuò)別字、引文、標(biāo)點(diǎn)符號(hào)等問題仔細(xì)地核對(duì)和訂正。
{4}注釋一律采用腳注。腳注用小五宋體，包括文獻(xiàn)作者、文獻(xiàn)題名、出版社及出版年或期刊的年（卷）、起止頁碼，用帶圓圈的阿拉伯?dāng)?shù)字序號(hào)標(biāo)注，每頁單獨(dú)編號(hào)。
{5}參考文獻(xiàn)的著錄格式采用順序編碼制，請(qǐng)按文中出現(xiàn)的先后順序編號(hào)。所引文獻(xiàn)必須是作者直接閱讀參考過的、最主要的、公開出版的文獻(xiàn)。
注：因版權(quán)方要求，不能公開全文，如需全文，請(qǐng)咨詢雜志社
