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反應物濃度誘導CVD SiC結構的轉變
黃東; 王昊; 何雨恬; 王秀連; 劉樺; 鄧暢光; 林松盛; 張明瑜 湖南東映碳材料科技有限公司; 高性能瀝青基碳纖維湖南省工程研究中心; 湖南長沙410083; 廣東省新材料研究所; 現(xiàn)代材料表面工程技術國家工程實驗室; 廣東省現(xiàn)代表面工程技術重點實驗室; 廣東廣州510650; 中南大學粉末冶金國家重點實驗室; 湖南長沙4100831
關鍵詞：cvd sic 微觀結構
摘要：利用低密度的C/C復合材料為沉積基體,通過化學氣相沉積法制備氣相生長SiC,分析并研究了不同沉積位置和反應物濃度下氣相生長SiC的微觀形貌和物相組成.結果表明,隨著反應物氣體濃度的降低,多孔C/C復合材料基體上氣相生長的SiC的微觀結構呈區(qū)域性變化,SiC薄膜依次向SiC薄膜和顆粒、SiC短棒、SiC納米線轉變.探討了不同反應物濃度氣氛中過飽和度誘導原子遷移和氣相分子吸附的過程,并提出一個SiC的生長模型.
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