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非磁性半金屬YBi中極大磁電阻及拓?fù)潆娮咏Y(jié)構(gòu)構(gòu)建
唐昉; 吳子鳴; 林如龍; 房勇; 韓志達; 錢斌; 江學(xué)范 常熟理工學(xué)院物理與電子工程學(xué)院; 江蘇常熟215500; 常熟理工學(xué)院江蘇省新型功能材料重點建設(shè)實驗室; 江蘇常熟215500
關(guān)鍵詞：磁電阻 第一性原理計算
摘要：通過自助溶劑法制備YBi單晶,并研究其磁輸運行為及電子結(jié)構(gòu).零磁場下, YBi具有金屬導(dǎo)電特性.磁場作用下,低溫電阻將會極大增強,呈現(xiàn)類似拓?fù)浣^緣體的電阻平臺.科勒關(guān)系表明YBi中具有多種載流子.第一性原理計算表明,該材料具有一個電子帶和兩個空穴帶,且電子和空穴的數(shù)目大致相當(dāng).此外,我們還發(fā)現(xiàn)YBi具有非平庸的電子能帶結(jié)構(gòu).實驗表征及理論計算表明,YBi的極大磁電阻來源于電子-空穴補償效應(yīng)及拓?fù)淠軒ЫY(jié)構(gòu).
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