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基于石英納米孔道的單顆粒尺寸分布分析
關(guān)鍵詞：石英納米孔道 電化學(xué)限域 單顆粒尺寸分布分析
摘要：發(fā)展了一種基于石英納米孔道的單顆粒電化學(xué)動(dòng)態(tài)分析方法,用于單個(gè)CdSe/ZnS量子點(diǎn)納米顆粒的尺寸分布分析.其機(jī)制是向石英納米孔道兩端施加電壓,表面帶有正電荷的單個(gè)CdSe/ZnS量子點(diǎn)納米顆粒在電場(chǎng)力驅(qū)動(dòng)下由管內(nèi)向管外運(yùn)動(dòng),當(dāng)量子點(diǎn)納米顆粒穿過納米孔道尖端狹小的限域空間時(shí),其表面正電荷使石英納米孔道內(nèi)電荷密度增加,孔道內(nèi)的電化學(xué)限域效應(yīng)進(jìn)一步將電荷密度增加的信息放大并轉(zhuǎn)變?yōu)榭勺x的離子流增強(qiáng)信號(hào).通過對(duì)動(dòng)態(tài)離子流信號(hào)解析可實(shí)時(shí)獲取具有2種不同尺寸的量子點(diǎn)納米顆粒所導(dǎo)致的2類過孔事件信息,從而對(duì)在限域空間內(nèi)運(yùn)動(dòng)的納米顆粒進(jìn)行尺寸分布分析.
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