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InP基近紅外單光子雪崩光電探測(cè)器陣列

劉凱寶; 楊曉紅; 何婷婷; 王暉 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所集成光電子學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 北京100086; 中國(guó)科學(xué)院大學(xué)材料科學(xué)與光電技術(shù)學(xué)院; 北京100049

關(guān)鍵詞:探測(cè)器 雪崩光電二極管 陣列 紅外波段 三維成像 

摘要:單光子雪崩光電探測(cè)器(SPAD)具有雪崩增益大、響應(yīng)速度快、探測(cè)效率高、易于集成的特點(diǎn)。SPAD陣列器件可進(jìn)行弱光三維成像,在生物化學(xué)、量子通信、激光雷達(dá)等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。因此開展SPAD器件及陣列探測(cè)技術(shù)的研究具有非常重要的意義。給出了近紅外InGaAs/InP SPAD單元工作原理和陣列結(jié)構(gòu)性能,對(duì)暗計(jì)數(shù)率、探測(cè)效率、后脈沖等主要影響因素和器件優(yōu)化方向進(jìn)行總結(jié),概述了近年來(lái)SPAD陣列器件的主要技術(shù)方案,給出了串?dāng)_來(lái)源和消除方法,并對(duì)相關(guān)研究單位的技術(shù)與結(jié)果進(jìn)行對(duì)比。

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