{1}參考文獻：請在文章末尾列出參考文獻，按照國際學術引用標準進行格式化。

{2}圖表要求：如有插圖或表格，請按照標準規(guī)范進行編號和標注，并確保圖表清晰可讀。

{3}格式要求：文章需使用英文撰寫，并遵循國際學術寫作規(guī)范。文章應包括標題、摘要、引言、方法、結果與討論、結論等基本部分。引用文獻時請按照國際學術引用標準進行。

{4}文章主題：接受涵蓋半導體領域各個方面的研究論文，包括但不限于半導體材料、器件、集成電路設計、光電子學等。

{5}正文標題：內容應簡潔、明了，層次不宜過多，層次序號為一、（一）、1、（1），層次少時可依次選序號。

{6}注釋：注釋主要用于對文章篇名、作者及文內某一特定內容作必要的解釋或說叫，序號用帶網(wǎng)目的阿拉伯數(shù)字標注，放在當頁頁腳，建議不超過5條。

{7}為便于讀者與作者的相互切磋，來稿請附上作者的簡介（包括姓名、工作單位、職務或職稱、能反映出作者的專業(yè)及專業(yè)水平等內容的文字）及通訊地址、郵政編碼、聯(lián)系電話等，以便編輯部與你聯(lián)系。

{8}選用３~８個詞或詞組反映論文的中心內容，同時應翻譯為相應的英文關鍵詞。題名、作者姓名、作者單位、摘要、關鍵詞的英譯置于文末。

{9}稿件如獲某種研究基金資助，請列出項目名稱及編號。

{10}稿件中引文務必準確，注明出處。不得引用未正式發(fā)表的文獻。

{11}圖表設計恰當，具自明性；先見引文，后見圖表；表名和圖名一律中英文并列。表格用三線表。