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Ieee Transactions On Device And Materials Reliability
  • ISSN:1530-4388

  • E-ISSN:1558-2574

  • H-index指數(shù):63

  • 文章自引率:0.05

  • 影響因子:2.5

  • 年發(fā)文量:72

  • 研究類文章占比:97.22%

  • 開源占比:0.05...

  • OA被引用占比:

IEEE Transactions on Device and Materials Reliability SCIE

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability

  • 國際簡稱:IEEE T DEVICE MAT RE

  • 出版周期:Quarterly

  • 研究方向:工程技術(shù) - 工程:電子與電氣

  • 出版語言:English

  • 創(chuàng)刊時間:2001

  • 是否預警:

  • 出版地區(qū):UNITED STATES

  • 是否 OA:未開放

期刊介紹

《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》(《IEEE Transactions on Device and Materials Reliability》)是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版的工程技術(shù)-工程:電子與電氣學術(shù)刊物,主要刊載工程技術(shù)-工程:電子與電氣相關(guān)領(lǐng)域研究成果與實踐,旨在打造一種學術(shù)水平高、可讀性強、具有全球影響力的學術(shù)期刊。本刊已入選SCIE來源期刊。該刊創(chuàng)刊于2001年,出版周期Quarterly。2023年發(fā)布的影響因子為2.5。

服務流程:

期刊簡介

Magazine introduction

IEEE Transactions on Device and Materials Reliability(Ieee Transactions On Device And Materials Reliability)在中科院分區(qū)中位于3區(qū),JCR分區(qū)位于Q2。審稿速度一般為 較慢,6-12周 ,且近兩年沒有被列入國際預警名單,您可以放心投稿。如果您需要投稿指導,可在線咨詢我們的客服老師,我們將竭誠為您服務。

出版物的范圍包括但不限于以下方面的可靠性:設備、材料、工藝、接口、集成微系統(tǒng)(包括 MEMS 和傳感器)、晶體管、技術(shù)(CMOS、BiCMOS 等)、集成電路(IC、SSI、MSI、LSI、ULSI、ELSI 等)、薄膜晶體管應用。從概念階段到研發(fā)再到制造規(guī)模,在每個階段對這些實體的可靠性進行測量和理解,為成功將產(chǎn)品推向市場提供了設備、材料、工藝、封裝和其他必需品的可靠性的整體數(shù)據(jù)庫。這個可靠性數(shù)據(jù)庫是滿足客戶期望的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品的基礎。這樣開發(fā)的產(chǎn)品具有高可靠性。高質(zhì)量將實現(xiàn),因為產(chǎn)品弱點將被發(fā)現(xiàn)(根本原因分析)并在最終產(chǎn)品中設計出來。這個不斷提高可靠性和質(zhì)量的過程將產(chǎn)生卓越的產(chǎn)品。歸根結(jié)底,可靠性和質(zhì)量不是一回事;但從某種意義上說,我們可以做或必須做一切事情來保證產(chǎn)品在客戶條件下在現(xiàn)場成功運行。我們的目標是抓住這些進步。另一個目標是關(guān)注電子材料和設備可靠性的最新進展,并提供對影響可靠性的基本現(xiàn)象的基本理解。此外,該出版物還是可靠性跨學科研究的論壇??傮w目標是提供前沿/最新信息,這些信息與可靠產(chǎn)品的創(chuàng)造至關(guān)重要。

中科院SCI分區(qū)

Magazine introduction

2023年12月升級版

大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 3區(qū) 3區(qū)

2022年12月升級版

大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 3區(qū) 3區(qū)

2021年12月舊的升級版

大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 3區(qū) 3區(qū)

2021年12月基礎版

大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區(qū) 4區(qū)

2021年12月升級版

大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 3區(qū) 3區(qū)

2020年12月舊的升級版

大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理:應用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 3區(qū) 4區(qū)

分區(qū)表升級版:旨在解決期刊學科體系劃分與學科發(fā)展以及融合趨勢的不相容問題。升級版有如下優(yōu)勢:一是論文層級的主題體系既能體現(xiàn)學科交叉特點,又可以精準揭示期刊載文的多學科性;二是采用“期刊超越指數(shù)”替代影響因子指標,解決了影響因子數(shù)學性質(zhì)缺陷對評價結(jié)果的干擾。整體而言,分區(qū)表升級版(試行)突破了期刊評價中學科體系構(gòu)建、評價指標選擇等瓶頸問題,能夠更為全面地揭示學術(shù)期刊的影響力,為科研評價“去四唯”提供解決思路。相關(guān)研究成果經(jīng)過國際同行的認可,已經(jīng)發(fā)表在科學計量學領(lǐng)域國際重要期刊。

JCR 分區(qū)

Magazine introduction(2023-2024年最新版)

按JIF指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 165 / 352

53.3%

學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 87 / 179

51.7%

按JCI指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 186 / 354

47.6%

學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 99 / 179

44.97%

JCR:JCR沒有設置大類,只分為176個具體學科,按當期(1年)的影響因子進行分區(qū);JCR是按照“平均主義”思想,根據(jù)刊物IF的高至低平均劃分4個區(qū),每個區(qū)含有該領(lǐng)域總量25%的期刊。中科院的分區(qū)如同社會階層的金字塔結(jié)構(gòu),1區(qū)只有5%的頂級期刊,2~4區(qū)期刊數(shù)量也逐層增加,所以中科院的1區(qū)和2區(qū)雜志很少,雜志質(zhì)量相對也高,基本都是本領(lǐng)域的頂級期刊。

統(tǒng)計數(shù)據(jù)

Magazine introduction

影響因子歷年變化趨勢

CiteScore歷年變化趨勢

中科院JCR分區(qū)歷年變化趨勢

引文指標和發(fā)文量歷年變化趨勢

自引數(shù)據(jù)歷年變化趨勢

影響因子:表示一種雜志的被引用頻率,是國際上通用的期刊評價指標,它不僅是一種測度期刊有用性和顯示度的指標,而且也是測度期刊的學術(shù)水平,乃至論文質(zhì)量的重要指標。

CiteScore:是影響因子最強有力的競爭者,是衡量期刊影響力的一個指標,由愛思維爾于2020年發(fā)布,旨在讓人們更細致地了解影響力對研究和期刊的意義。

CiteScore(2024年最新版)

CiteScore SJR SNIP CiteScore 指數(shù)
4.8 0.436 1.148
學科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Safety, Risk, Reliability and Quality Q2 65 / 207

68%

大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 274 / 797

65%

大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 103 / 284

63%

TOP期刊

常見問題

Magazine introduction

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability

IEEE Transactions on Device and Materials Reliability定制服務方案,SCI檢索

免責聲明

Magazine introduction

若用戶需要出版服務,請聯(lián)系出版商,地址:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。