購物車(0)
無掩模光刻技術(shù)研究
蔣文波 胡松 中國科學(xué)院光電技術(shù)研究所 成都610209 中國科學(xué)院研究生院 北京100039
關(guān)鍵詞：無掩模光刻 掃描電子束光刻 波帶片陣列光刻 掩模版
摘要：介紹了無掩模光刻技術(shù)的現(xiàn)狀和存在的問題，并對幾種常見的無掩模光刻技術(shù)進(jìn)行了詳細(xì)的對比分析。研究表明，掃描電子柬光刻具有極高的分辨率，但是生產(chǎn)效率較低；波帶片陣列光刻技術(shù)已經(jīng)在理論和實(shí)驗(yàn)上取得了廣泛的成果，在保持無掩模光刻技術(shù)高分辨力的同時，對電子束的低效率將是一種補(bǔ)充，是一種很有潛力的用于制作掩模版的光刻技術(shù)。
微細(xì)加工技術(shù)雜志要求:
{1}請?jiān)趤砀逯凶⒚髯髡咝彰?、出生年月、單位、職稱及聯(lián)系方式。
{2}來稿文責(zé)自負(fù)，作者應(yīng)對文章的署名和內(nèi)容無異議，請保證稿件的原創(chuàng)性，不侵犯他人的著作權(quán)，請勿抄襲或者重復(fù)刊發(fā)文章。
{3}論文標(biāo)題應(yīng)準(zhǔn)確、簡明、具體，能概括文章的核心內(nèi)容，一般不超過20個字。
{4}引征二手文獻(xiàn)、資料，需注明該原始文獻(xiàn)資料的作者、標(biāo)題，并在其后標(biāo)注“轉(zhuǎn)引自”及該援引的文獻(xiàn)、資料等。
{5}摘要篇幅以50~300字不宜，寫成報道性摘要，內(nèi)容包括研究工作的目的、方法、結(jié)果和結(jié)論。
注：因版權(quán)方要求，不能公開全文，如需全文，請咨詢雜志社
