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關(guān)鍵詞：鐵電體 獨(dú)立柵finfet 低功耗 器件優(yōu)化 器件建模 

摘要：為了能夠持續(xù)縮小MOSFET的工作電壓,增加集成電路設(shè)計(jì)的靈活性,我們提出了一種鐵電-金屬-絕緣層-半導(dǎo)體-絕緣層(FMISI)結(jié)構(gòu)的負(fù)電容獨(dú)立柵FinFET(NC-IMG-FinFET)。給出了NC-IMG-FinFET器件及其反相器的分析模型,用于分析器件的性能參數(shù)(閾值電壓,亞閾值擺幅,導(dǎo)通電流和漏電流)及簡(jiǎn)單電路的性能指標(biāo)(延時(shí),功耗和功耗延時(shí)積)。結(jié)合獨(dú)立柵的BSIM模型和鐵電的Landau-Khalatnikov模型,構(gòu)造出用于仿真驗(yàn)證的NC-IMG-FinFET的SPICE模型?；趯?duì)器件和電路的仿真,優(yōu)化了鐵電參數(shù)。仿真結(jié)果與理論分析結(jié)果一致,表明了NC-IMG-FinFET相比于基準(zhǔn)器件更加卓越的性能:NC-IMG-FinFET在更低的工作電壓下實(shí)現(xiàn)了更小的漏電流,更大的開(kāi)關(guān)電流比,同時(shí)亞閾值擺幅突破了60mV/dec的限制;NC-IMG-FinFET電路的功耗和功耗延時(shí)積也得到了很大的改進(jìn)。

無(wú)線通信技術(shù)雜志要求:

{1}“一”后加“、”號(hào)，“l(fā)”后加“．”，（一）、(l)不加任何標(biāo)點(diǎn)，‘第一”、‘首先”后面均要加“，”號(hào)。

{2}來(lái)稿應(yīng)論點(diǎn)明確，論證周密，數(shù)據(jù)可靠，文字通順，語(yǔ)句精煉。

{3}附上300字左右的中英文摘要、5-8個(gè)中英文關(guān)鍵詞。摘要應(yīng)能反應(yīng)論文的核心內(nèi)容。

{4}所有來(lái)稿請(qǐng)注明真實(shí)姓名、工作單位、職務(wù)（職稱）、聯(lián)系方式。

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