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鎳基高溫合金單晶的生長和氧化行為
關(guān)鍵詞：ni基高溫合金 晶體生長 微觀結(jié)構(gòu) 坩堝下降法 氧化行為
摘要：采用改進(jìn)型坩堝下降法生長了鎳基高溫合金單晶,使用氧化鋁坩堝和〈001〉方向的籽晶,生長得到直徑為30~40mm、長度260mm的晶棒。采用異型氧化鋁坩堝,生長出特殊形狀且中空的高溫合金單晶渦輪機(jī)葉片構(gòu)件。腐蝕顯示所生長的晶體具有典型的鎳基高溫合金單晶形貌,在枝晶區(qū)域有少量的γ′/γ共晶,枝晶的平均間距是367μm,γ′相是立方結(jié)構(gòu)且分布均勻。研究了晶體在900和1000℃氧化200h的氧化行為,氧化120h后其增重達(dá)到一個恒定值。
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