導(dǎo)言：作為寫作愛好者，不可錯過為您精心挑選的10篇半導(dǎo)體材料發(fā)展前景，它們將為您的寫作提供全新的視角，我們衷心期待您的閱讀，并希望這些內(nèi)容能為您提供靈感和參考。

篇1

1 對現(xiàn)階段我國電子科學(xué)技術(shù)發(fā)展進程向前推進的過程中所使用到的半導(dǎo)體材料進行分析

1.1 元素類半導(dǎo)體材料在我國電子科學(xué)技術(shù)發(fā)展初級階段得到了較為廣泛的應(yīng)用

作為出現(xiàn)最早并且得到了最為廣泛的應(yīng)用的第一代半導(dǎo)體材料，鍺、硅是其中典型性相對來說比較強的元素半導(dǎo)體材料，第一代半導(dǎo)體材料硅因為存儲量相對來說比較大、工藝也相對來說比較成熟，成為了現(xiàn)階段我國所生產(chǎn)出來的半導(dǎo)體設(shè)備中得到了最為廣泛的應(yīng)用，鍺元素是發(fā)現(xiàn)時間最早的一種半導(dǎo)體材料。在我國電子科學(xué)技術(shù)發(fā)展初級階段因其本身所具有的活潑，容易和半導(dǎo)體設(shè)備中所需要使用到的介電材料發(fā)生氧化還原反應(yīng)從而形成GEO，使半導(dǎo)體設(shè)備的性能受到一定程度的影響，致使人們在使用半導(dǎo)體設(shè)備的過程中出現(xiàn)各個層面相關(guān)問題的幾率是相對來說比較高的，并且鍺這種元素的產(chǎn)量相對于硅元素來說是比較少的，因此在我國電子科學(xué)技術(shù)發(fā)展初級階段對鍺這種半導(dǎo)體材料的研究力度是相對來說比較小的。但是在上個世紀八十年代的時候，鍺這種半導(dǎo)體材料在紅外光學(xué)領(lǐng)域得到了較為廣泛的應(yīng)用，并且發(fā)展速度是相對來說比較快的，在此之后，GE這種半導(dǎo)體材料在太陽能電池這個領(lǐng)域中也得到了較為廣泛的應(yīng)用。

1.2 對現(xiàn)階段我國電子科學(xué)技術(shù)發(fā)展進程向前推進的過程中所使用到大化合物半導(dǎo)體材料進行分析

現(xiàn)階段我國電子科學(xué)技術(shù)發(fā)展進程向前推進的過程中所使用到的化合物半導(dǎo)體一般情況下是可以分為第III和第V族化合物（例如在那個時期半導(dǎo)體設(shè)備中所經(jīng)常使用到的半導(dǎo)體材料GaAs Gap以及石墨烯等等），第II和第VI族化合物（例如在半導(dǎo)體設(shè)備中所經(jīng)常使用到的硫化鎘以及硫化鋅等等）、經(jīng)過了一定程度的氧化反應(yīng)后的化合物（Mn、Cu等相關(guān)元素經(jīng)過了一定程度的氧化反應(yīng)后形成的化合物）。在上文中所敘述的一些材料一般情況下都是屬于固態(tài)晶體半導(dǎo)體材料所包含的范疇之內(nèi)的，現(xiàn)階段我國電子科學(xué)技術(shù)發(fā)展進程向前推進的過程中研發(fā)出來的有機半導(dǎo)體與玻璃半導(dǎo)體等非晶體狀態(tài)的材料也逐漸成為了半導(dǎo)體設(shè)備中所經(jīng)常使用到的一種材料。

2 對現(xiàn)階段我國電子科學(xué)技術(shù)發(fā)展進程向前推進的過程中半導(dǎo)體材料使用階段發(fā)生變化的進行分析

在現(xiàn)階段我國半導(dǎo)體設(shè)備中所經(jīng)常使用到的半導(dǎo)體材料硅遵循著摩爾定律所提出的要求發(fā)展進程不斷的向前推進，現(xiàn)階段我國半導(dǎo)體設(shè)備中所使用到的硅的集成度已經(jīng)逐漸接近了極限范圍，現(xiàn)階段我國所研發(fā)出來的晶體管逐步向著10nm甚至7nm的特征尺寸逼近。但是因為硅材料本身在禁帶寬度、空穴遷移率等各個方面存在一定程度的問題，難以滿足現(xiàn)階段我國科學(xué)技術(shù)發(fā)展進程向前推進的過程中對半導(dǎo)體材料所提出的要求，在10nm這個節(jié)點范圍之中，GE/SIGE材料或許是可以代替硅材料成為半導(dǎo)體設(shè)備所需要使用到的主要材料的。在2015年的時候，IBM實驗室在和桑心以及紐約州立大學(xué)納米理工學(xué)院進行一定程度的相互合作之后推出了實際范圍內(nèi)首個7nm原型芯片，這一款芯片中所使用到的材料都是被人們稱作黑科技的“鍺硅”材料，取代了原本高純度硅元素在半導(dǎo)體材料中所占據(jù)的主導(dǎo)地位。

3 對現(xiàn)階段新興半導(dǎo)體材料的發(fā)展趨勢進行分析

因為在經(jīng)濟發(fā)展進程向前推進的背景之下，人們對半導(dǎo)體設(shè)備的性能所提出的要求也在不斷的提升，人們對半導(dǎo)體設(shè)備中所需要使用到的半導(dǎo)體材料在集成度、能耗水平以及成本等各個方面提出的要求到達了新的高度?，F(xiàn)階段，第三代半導(dǎo)體材料已經(jīng)之間的成為了半導(dǎo)體設(shè)備中使用到的主要材料之一，作為在第三代半導(dǎo)體材料中典型性相對來說比較強的材料：GaN、SIC以及zno等各種類型的材料在現(xiàn)階段發(fā)展進程向前推進的速度都是相對來說比較快的。

4 對現(xiàn)階段碳化硅這種材料的發(fā)展和在各個領(lǐng)域中得到的應(yīng)用進行分析

碳化硅是一種典型性相對來說比較高的在碳基化合物所包含的范圍之內(nèi)的半導(dǎo)體材料，其本身所具有的導(dǎo)熱性能相對于其它類型的半導(dǎo)體材料來說穩(wěn)定性是相對來說比較強的，所以在某些對散熱性要求相對來說比較高的領(lǐng)域中得到了較為廣泛的應(yīng)用，現(xiàn)階段碳化硅這種半導(dǎo)體材料在太陽能電池、發(fā)電傳輸以及衛(wèi)星通信等各個領(lǐng)域中得到了比較深入的應(yīng)用，在此之外，碳化硅這種半導(dǎo)體材料在軍工行業(yè)中所得到的應(yīng)用也是相對來說比較深入的，在某些國防建設(shè)相關(guān)工作進行的過程中都使用到的了大量的碳化硅。因為和碳化硅這種材料相關(guān)的產(chǎn)業(yè)的數(shù)量是相對來說比較少的，現(xiàn)階段我國碳化硅行業(yè)發(fā)展進程向前推進的速度是相對來說比較緩慢的，但是現(xiàn)階段我國經(jīng)濟發(fā)展進程向前推進的過程中所重視的向著環(huán)境保護型的方向轉(zhuǎn)變，碳化硅材料能夠滿足這一要求，所以我國政府有關(guān)部門對碳化硅這一種創(chuàng)新型的半導(dǎo)體材料越發(fā)的重視了，隨著半導(dǎo)體行業(yè)整體發(fā)展進程不斷的向前推進，在不久的將來我國碳化硅行業(yè)的的發(fā)展一定會取得相對來說比較顯著的成果的。

5 對現(xiàn)階段我國所研發(fā)出來的創(chuàng)新型半導(dǎo)體材料氧化鋅的發(fā)展趨勢進行分析

作為一種創(chuàng)新型的半導(dǎo)體材料，氧化鋅在光學(xué)材料以及傳感器等各個領(lǐng)域中得到了較為廣泛的應(yīng)用，因為這種創(chuàng)新型的半導(dǎo)體材料具有反應(yīng)速度相對來說比較快、集成度相對來說比較高以及靈敏程度相對來說比較高等一系列的特點，和當前我國傳感器行業(yè)發(fā)展進程向前推進的過程中所遵循的微型化宗旨相適應(yīng)，因為氧化鋅這種創(chuàng)新型的半導(dǎo)體材料的原材料豐富程度是相對來說比較高的、環(huán)保性相對來說比較強、價格相對來說比較低，所以氧化鋅這種創(chuàng)新型的半導(dǎo)體材料在未來的發(fā)展前景是相對來說比較廣闊的。

6 結(jié)束語

現(xiàn)階段我國經(jīng)濟發(fā)展進程向前推進的速度是相對來說比較穩(wěn)定的，并且當今我國所處的時代是一個知識經(jīng)濟的時代，人們對半導(dǎo)體設(shè)備中所需要使用到的半導(dǎo)體材料提出了更高的要求，針對半導(dǎo)體設(shè)備中所需要使用到的半導(dǎo)體材料展開的相關(guān)研究工作的力度也得到了一定程度的提升，摩爾定律在現(xiàn)階段電子科學(xué)技術(shù)發(fā)展進程向前推進的過程中仍然是適用的，隨著人們針對半導(dǎo)體材料展開的研究相關(guān)工作得到了一定的成果，使用創(chuàng)新型半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體設(shè)備的性能得到了大幅度的提升，相信在不久的將來，半導(dǎo)體材料市場的變化是相對來說比較大的。

參考文獻

[1]王欣.電子科學(xué)技術(shù)中的半導(dǎo)體材料發(fā)展趨勢[J].通訊世界，2016，08：237.

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[3]楊吉輝.光伏半導(dǎo)體材料和Cu基存儲材料的第一性原理研究[D].復(fù)旦大學(xué)，2013.

[4]張紹輝，張金梅.主要半導(dǎo)體材料的發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢[J].科技致富向?qū)В?013，12：72.

[5]蔣榮華，肖順珍.半導(dǎo)體硅材料的進展與發(fā)展趨勢[J].四川有色金屬，2000，03：1-7.

篇2

關(guān)鍵詞：

光電信息；功能材料；研究進展

隨著我國科學(xué)技術(shù)的日新月異，有力的推動著社會的發(fā)展與進步。光電信息功能材料作為新材料，能夠得到充分的研發(fā)，并廣泛應(yīng)用于社會眾多行業(yè)領(lǐng)域中。在光電子時代背景下，光電信息功能材料具有穩(wěn)定性的良好性能，在社會眾多行業(yè)領(lǐng)域中的應(yīng)用，有著良好的發(fā)展前景。目前，我國關(guān)于光電信息功能材料的研究進展主要表現(xiàn)在光折變材料、半導(dǎo)體材料、納米材料等方面，能夠在一定程度上推動我國電子時代的發(fā)展進程。1光電信息功能材料的概述在信息時代背景下，材料領(lǐng)域的研究更為廣泛，走在國家科研的前沿之路，為現(xiàn)代化科學(xué)奠定堅實的基礎(chǔ)條件。光電信息功能材料的研究，主要以量子論為基礎(chǔ)，相關(guān)人員對電子物理運動規(guī)律進行一系列探究，偶助于推動光電信息技術(shù)的研究和開發(fā)?；诖?，光電信息功能材料得以開發(fā)和應(yīng)用，主要包括光折變材料、半導(dǎo)體材料和納米材料，其信息存儲容量更大，且信息傳輸和處理速度更快，適應(yīng)我國社會發(fā)展和人類進步的發(fā)展趨勢，同時能夠在一定程度上促進信息技術(shù)的發(fā)展[1]。

1光電信息功能材料的制備方式

目前，光電信息功能材料受功能、尺寸等因素的影響，使其制備方式可能存在差異性，因而能夠適應(yīng)于不同社會領(lǐng)域的實際需求。但是，就光電信息功能材料制備方式而言，主要表現(xiàn)在微波反應(yīng)燒結(jié)、濺射法、PCVD等。通過合理方式對光電信息功能材料的制備，可以增強材料的性能和充分發(fā)揮其積極作用，有助于推動我國光電信息技術(shù)的快速發(fā)展[2]。

2光電信息功能材料的研究進展

2.1光電信息功能材料之光折變材料

光折變材料是光電信息功能材料之一，主要是在光的照射下，發(fā)生電荷轉(zhuǎn)移，形成空間電場，最終在電光效應(yīng)的影響下而產(chǎn)生的光電材料。光折變材料在人類社會眾多領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用?，F(xiàn)階段，我國關(guān)于光折變材料的研究主要表現(xiàn)在數(shù)據(jù)存儲、測量、光放大、圖像處理等方面。對于光折變材料而言，主要包括無機光折變材料和有機光折變材料兩種。首先，無機光折變材料主要有三類，分別為：以LiNbO3、BaTiO3為主的鐵電晶體；以Bi12GeO20為主的非鐵電體；以GaAs、CdTe、CdSe為主的化合物半導(dǎo)體。其次，有機光折變材料中，聚合物的應(yīng)用更具優(yōu)勢，在社會眾多領(lǐng)域中有著廣泛應(yīng)用，其發(fā)展空間較為廣闊，能夠為相關(guān)技術(shù)人員創(chuàng)造良好的條件?？傊S著光折變材料的研究進程加快，相關(guān)科技人員能夠通過聚乙烯咔唑?qū)D像進行識別，為后期三維體全息圖存儲奠定良好條件，同時促進光電信息存儲的廣泛應(yīng)用。

2.2光電信息功能材料之半導(dǎo)體材料

半導(dǎo)體材料是導(dǎo)體材料和絕緣體材料之間的一種材料，能夠?qū)崿F(xiàn)電能和光能之間的相互轉(zhuǎn)換。新時期，我國對半導(dǎo)體材料的研究相對較多，且該材料的應(yīng)用范圍較廣。其研究進展主要表現(xiàn)在以下方面：首先，硅微電子技術(shù)材料。該材料是制成半導(dǎo)體集成電路、光伏太陽能電池的重要材料，屬于我國新能源產(chǎn)業(yè)。隨著硅材料技術(shù)的不斷發(fā)展和應(yīng)用，促進硅材料產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。其次，對量子級聯(lián)激光器材料的研究，該材料主要在光通信、移動通信等領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用，能夠在一定程度上推動著人類工業(yè)化的發(fā)展進程。最后，對光子帶隙材料的研究相對較多[3]。

2.3光電信息功能材料之納米材料

納米技術(shù)近年來比較熱門的研究話題，而納米光電材料是光電信息功能材料的重要組成部分。光能與電能、化學(xué)能等能源之間轉(zhuǎn)換過程中，可以形成全新的納米材料，在社會眾多領(lǐng)域中的應(yīng)用，具有一定的優(yōu)勢，如發(fā)展前景良好、性能優(yōu)良等，尤其在光的通信、存儲中有著更為深入的應(yīng)用?，F(xiàn)階段，我國對納米光電材料的研究相對較多，并取得良好的進展。在納米電子器件的發(fā)展條件下，納米光電子學(xué)得以快速發(fā)展，其研究領(lǐng)域主要表現(xiàn)在：一是關(guān)于納米粉末在光電探測器中應(yīng)用的系列研究，二者能夠相互作用，且納米粉末可以改善SOI的不良性能；二是對一維納米材料應(yīng)用的相關(guān)研究；三是對納米硅薄膜應(yīng)用的研究，其獨特性質(zhì)，能夠充分發(fā)揮量子尺寸效應(yīng)，有助于科技人員對納米光電材料的深入研究。

3結(jié)論

隨著社會的發(fā)展與進步，科學(xué)技術(shù)日新月異，造福于人類。近年來，光電信息功能材料的研究有較大進展，取得良好的成果，能夠以光電為信息載體，促進人們對量子物理的深入研究。由于光電信息功能材料能夠在人類社會生活眾多領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用和充分發(fā)揮其積極作用。所以，相關(guān)人員有必要加強對光電信息功能材料研究進展問題的研究，能夠為相關(guān)科技人員提供有力的參考依據(jù)，有助于推動光電信息功能材料的研發(fā)進程。

參考文獻：

[1]王智瑋，劉麗媛，陳潤鋒，等.基于芳香性聚酰亞胺的光電功能材料及器件研究進展[J].科學(xué)通報，2013（26）：2690-2706.

篇3

2、受益半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模的擴張；

3、強勢研發(fā)團隊掌控核心技術(shù)。

上海新陽半導(dǎo)體材料股份有限公司（以下簡稱“上海新陽”，代碼300236）專業(yè)從事半導(dǎo)體行業(yè)所需電子化學(xué)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售服務(wù)，并致力于為客戶提供化學(xué)材料、配套設(shè)備、應(yīng)用工藝、現(xiàn)場服務(wù)一體化的整體解決方案。產(chǎn)品主要包括半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域所需的引線腳表面處理電子化學(xué)品，晶圓鍍銅、清洗電子化學(xué)品及與它們配套的設(shè)備。

財務(wù)數(shù)據(jù)顯示，2008年-2010年，上海新陽凈利潤分別為1956.73萬元、2887.79萬元、3337.22萬元，體現(xiàn)了良好的成長性。此次公司擬公開發(fā)行2150萬股，募集資金1.75億元用于原有產(chǎn)品產(chǎn)能的擴張及技術(shù)研發(fā)中心的建設(shè)。項目實施后，預(yù)計將年增半導(dǎo)體專用化學(xué)品產(chǎn)能3600萬噸，發(fā)展前景廣闊。

行業(yè)佼佼者客戶覆蓋廣泛

截至2010年年底，上海新陽已經(jīng)具備了3000噸/年的電子化學(xué)品產(chǎn)能，下游擁有超過120家的客戶，遍布華東、華南、東北、西北等全國各地。同時，公司還通過了多家國內(nèi)以及國際知名的半導(dǎo)體封裝企業(yè)嚴格的供應(yīng)商資格認證，知名企業(yè)如長電科技、通富微電等都是上海新陽的固定客戶群體，在新產(chǎn)品的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方面都建立了長期的合作伙伴關(guān)系。

以上僅僅是在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的客戶，在芯片制造領(lǐng)域，公司也同如中芯國際、江陰長電等高端芯片制造企業(yè)建立了合作關(guān)系。

上海新陽是中國集成電路封測產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟理事單位，國家02重大科技專項科研任務(wù)的承擔(dān)單位之一，在國內(nèi)的半導(dǎo)體材料業(yè)內(nèi)具有突出的行業(yè)地位。行業(yè)佼佼者加上與各領(lǐng)域的知名企業(yè)的長期合作將極大得保障公司未來穩(wěn)定的收入來源。

受益半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模擴張

半導(dǎo)體行業(yè)作為電子信息高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，未來仍將會有較快的發(fā)展，而對電子化學(xué)品的需求也將隨著半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模的擴大而增加。根據(jù)中國半導(dǎo)體協(xié)會的預(yù)測，2013年引線腳表面處理所需的電子化學(xué)品的市場規(guī)?？蛇_10億元，而據(jù)Yole Development2009年10月的預(yù)測，2015年晶圓鍍銅、清洗電子化學(xué)品市場規(guī)?？蛇_10億美元。

未來，在國家相關(guān)產(chǎn)業(yè)政策的支持下，利用本土競爭優(yōu)勢，公司產(chǎn)品對進口產(chǎn)品的替代以及相關(guān)產(chǎn)品技術(shù)儲備的市場推廣進程的加速，上海新陽的市場地位將進一步突出、穩(wěn)固。在此背景下，上海新陽未來將極大得受益于行業(yè)規(guī)模的擴大。

強勢研發(fā)團隊掌控核心技術(shù)

篇4

隨著我國經(jīng)濟的發(fā)展，我國的電力企業(yè)也取得了較大的發(fā)展，這種情況下電力技術(shù)的發(fā)展，不僅能夠優(yōu)化供電結(jié)構(gòu)和形式，還能帶動企業(yè)的更好更快的發(fā)展，下文中筆者將從幾個方面，就我國電工新技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀進行分析。

1超導(dǎo)體和半導(dǎo)體材料在電力工業(yè)中被廣泛的應(yīng)用。下超導(dǎo)體和半導(dǎo)體材料的應(yīng)用可以分為以下幾個階段，下文中筆者將進行詳細論述。a.20世紀60年代初，實用超導(dǎo)體被研發(fā)出來并且應(yīng)用于電工領(lǐng)域，至此超導(dǎo)體材料進入了電工生產(chǎn)，以其應(yīng)用中的優(yōu)勢逐漸的取代了其他材料。尤其是20世紀80年代中后期，高臨界溫度的超導(dǎo)體的發(fā)現(xiàn)，更奠定了超導(dǎo)體材料在電工生產(chǎn)中的地位。b.半導(dǎo)體的發(fā)現(xiàn)和應(yīng)用給電力設(shè)備和儀器提供了新型的電子元件，使得電力設(shè)備在不斷的發(fā)展過程中，向著自動化前進。

2計算機和微電子技術(shù)在電力工業(yè)中被廣泛的應(yīng)用。下文中筆者將對該問題進行詳細的分析：a.電磁場的數(shù)值計算對于電力設(shè)備的發(fā)展有著非常重要的意義，也是近些年來有關(guān)單位和部門的研究重點，而計算機技術(shù)的應(yīng)用使得這一計算中的復(fù)雜分析和精密實驗問題都得到了解決，大大的推動了電磁場的數(shù)值計算的發(fā)展。b.數(shù)控系統(tǒng)的發(fā)展同樣使得電機控制向著更加自動化和全面化的方向發(fā)展，使得電機系統(tǒng)的整體使用功能得到了很大的提升。c.電力電子技術(shù)作為能源擴展的一個重要的技術(shù)，對于提高用電效率和能源的使用率都有著非常重要的意義。

對電工新技術(shù)未來的展望

上文中我們分析了電工新技術(shù)的發(fā)展的必要性和基本現(xiàn)狀，下文中筆者將結(jié)合自己的工作經(jīng)驗，分析未來我國的電工新技術(shù)的發(fā)展的趨勢和方向，并將其同新能源的開發(fā)和利用結(jié)合起來進行探討。

1太陽能發(fā)電技術(shù)。太陽能作為目前最受矚目的新能源，其發(fā)電技術(shù)對于日后的新能源的發(fā)展和使用有著非常重要的意義。因為太陽能的獲取的便利以及利用形式的多樣化，使得其在眾多的新能源中成為了開發(fā)重點。而太陽能的使用也將很大程度上改變現(xiàn)有的能源利用方式，所以太陽能發(fā)電技術(shù)的未來發(fā)展前景是十分廣闊的。

2風(fēng)能發(fā)電技術(shù)。風(fēng)能作為新能源的一種，其最主要的應(yīng)用特點就是其具有較好的清潔性和可再生性，因此也被廣泛的應(yīng)用于新能源的開發(fā)領(lǐng)域。就目前風(fēng)能的發(fā)展速度來看，已經(jīng)超越了太陽能，成為了世界上發(fā)展最快的可再生能源，我國對于風(fēng)能的發(fā)展也給予了多種政策上的支持，所以風(fēng)能發(fā)電將會取得更好的發(fā)展成就。

3核能發(fā)電技術(shù)。受控核聚變的發(fā)展以及利用可以提供取之不竭的清潔能源，從根源上解決經(jīng)濟與能源和環(huán)境的協(xié)調(diào)發(fā)展問題。核聚變具有極為重要的科學(xué)現(xiàn)實性，它依靠核工業(yè)技術(shù)以及電工新技術(shù)的結(jié)合，為能源的利用提供更加便利的方式，核聚變電站的建立還可以促進新興電工產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

4水力發(fā)電技術(shù)。我國的水力資源比較豐富，在水力資源集中的中南以及西南地區(qū)已經(jīng)建成了多所發(fā)電站。對于水力資源未來的發(fā)展以及開發(fā)規(guī)劃已經(jīng)進行了較為詳細的策劃和前期的準備工作。重點對金沙江以及黃河上游和湘西等水電基地進行開發(fā)，這樣就可以在最大程度上對可開發(fā)的資源進行利用，促進水力發(fā)電技術(shù)的發(fā)展。

篇5

關(guān)鍵詞：薄膜太陽電池；光伏；分類；概況

1.引言

目前，市場上的太陽能電池以單晶硅、多晶硅為主，但其工藝復(fù)雜，成本^高，而成本一直是光伏產(chǎn)業(yè)能否大范圍普及的關(guān)鍵。薄膜太陽能電池能夠大幅度降低電池成本，近年來得到了較快的發(fā)展。

2.薄膜電池分類以及發(fā)展

薄膜太陽能電池具有多種分類[1]，按照吸收層材料，可分為硅系、多元化合物和有機薄膜太陽電池。硅系薄膜主要包括非晶硅薄膜，多晶硅薄膜；多元化合物薄膜主要包括III-VI族二元化合物，如碲化鎘、硫化鎘薄膜；III-V族二元化合物，如砷化鎵、磷化銦薄膜太陽電池；I-III-VI2族三元化合物，如銅銦硒、銅銦硫薄膜；有機薄膜主要包括染料敏化劑薄膜和聚合物薄膜。上述的電池的結(jié)構(gòu)以及優(yōu)點各不相同，分別進行介紹。

2.1硅系薄膜太陽電池

硅薄膜太陽能電池按照材料可細分為非晶硅、多晶硅和微晶硅薄膜太陽電池；其中以多晶硅薄膜太陽電池的應(yīng)用最為廣泛。

2.1.1非晶硅薄膜太陽電池

1976年，非晶硅薄膜太陽電池由RAC實驗室的Carlson等研制成功，也是最早實現(xiàn)商業(yè)化[2]。隨后，其得到了較快的發(fā)展。鐘迪生等采用等離子體化學(xué)氣相沉積法特別是RF輝光放電法制作高質(zhì)量的非晶硅薄膜；United Solar Ovonic完成了面積929cm2的a-Si薄膜太陽能電池，轉(zhuǎn)換效率達9.8%，利用減反射層可使小面積的電池效率達到12%；日本的Ichikawa等使用柔性樹脂薄膜襯底，利用roll-to-roll CVD在50cm×1km的樹脂基底上制備a-Si/a-SiGe太陽能電池，效率達10.1%；日本中央研究院制的的非晶硅電池的轉(zhuǎn)化效率已經(jīng)達到13.2%。

國內(nèi)，中科院半導(dǎo)體所研制的玻璃襯底非晶硅單結(jié)太陽能電池，效率達11.2%；南開大學(xué)薛俊明等采用PECVD技術(shù)制備非晶硅頂電池，采用甚高頻PECVD技術(shù)制備出微晶硅底電池，研制出效率達9.83%的薄膜非晶硅/微晶硅疊層太陽能電池；美國國家再生能源實驗室利用堆疊技術(shù)，制得三結(jié)疊層太陽能薄膜，轉(zhuǎn)換率達到12%。但是非晶硅的帶隙為1.7eV，對應(yīng)吸收波長為730nm，與太陽光譜長波區(qū)域不匹配，理論上限制了其轉(zhuǎn)換效率的提高。此外，隨光照時間的延長，轉(zhuǎn)化效率會明顯衰減。目前，穩(wěn)定的單結(jié)非晶硅薄膜太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率最高達9.5%，而量產(chǎn)的效率只維持在8%左右。

2.1.2多晶硅薄膜電池

多晶硅薄膜太陽電池以生長在襯底上具有納米尺寸和具有不同晶面的小晶粒構(gòu)成的多晶硅薄膜作為吸收層，通常可以采用化學(xué)氣相沉積法、液相外延法、金屬誘導(dǎo)晶體法、非晶硅薄膜固相晶化法或等離子噴涂法形成。Kaneka公司設(shè)計的STAR結(jié)構(gòu)的多晶硅薄膜電池，效率已經(jīng)達到了10.7%，厚度小于5um，并且無光致衰減現(xiàn)象；另一種SIO結(jié)構(gòu)的多晶硅薄膜電池100cm2，獲得了14.22%的效率；H.orikawa等制備出了效率高達16%的多晶硅薄膜電池；日本三菱公司用該法制備電池，效率達到16.42%。德國費來堡太陽能研究所采用區(qū)域在再結(jié)晶技術(shù)在Si襯底上制的多晶硅電池轉(zhuǎn)換效率為19%。理論計算表明，多晶硅薄膜太陽能電池的最高效率可達28%。與單晶硅電池相比，多晶硅薄膜電池厚度約為前者，大大的降低了生產(chǎn)成本，且在長波段具有高光敏性，吸光好，穩(wěn)定性高，無光致衰退效應(yīng)，制作工藝簡單，具有廣闊的發(fā)展前景。

2.2多元化合物薄膜太陽電池

2.2.1II-VI族薄膜電池

在II-VI族化合物半導(dǎo)體材料主要包括碲化鎘、硫化鎘，用該半導(dǎo)體制作的太陽能電池有很高的理論轉(zhuǎn)換效率。CdTe薄膜電池通常以CdS/CdTe異質(zhì)結(jié)作為吸收層，填充因子高達FF=0.75，并且其容易沉積得到大面積的薄膜，沉積速率也較高，膜的厚度通常為1.5-3μm。因而CdTe薄膜電池制造成本也得以大大的降低低，應(yīng)用前景良好。它已經(jīng)成為歐美、日、韓等國研究開發(fā)的主要對象。托萊多大學(xué)的鄢炎發(fā)博士采用濺工藝制得效率為14%的碲化鎘太陽能電池；采用近空間升華法制得效率高于15.8%的碲化鎘太陽能電池。在國內(nèi)，四川大學(xué)太陽能材料與器件研究所的馮良恒，制備出轉(zhuǎn)換效率高達11.6%的碲化鎘薄膜太陽能電池，進入了世界先進行列。CdS半導(dǎo)體具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)，屬于直接帶隙半導(dǎo)體材料，帶隙寬度為2.4eV，光吸收系數(shù)較高，透光性好，主要用于薄膜太陽電池的n型窗口材料，可以與碲化鎘、銅銀硒形成良好的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。但是，由于Cd元素對環(huán)境污染嚴重，阻礙了CdS/CdTe電池的應(yīng)用。

2.2.2I-III-VI2族化合物薄膜太陽電池

I-III-VI族化合物半導(dǎo)體是指以具有黃銅礦、閃鋅礦晶體結(jié)構(gòu)作為吸收層的太陽電池，通?？梢該饺爰葱纬伤脑衔锇雽?dǎo)體吸收層。I-III-VI2族化合物半導(dǎo)體的研究集中在CuInSe2、Cu（In，Ga）Se2、CuInS2等材料，上述半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度連續(xù)可調(diào)，吸收系數(shù)高的優(yōu)點。日本昭和石油公司創(chuàng)下了CIS系薄膜太陽能電池轉(zhuǎn)換效率的最高世界紀錄，面積為864cm2的薄膜太陽電池轉(zhuǎn)換效率為14.3%，該公司完成了使用該太陽能電池的日本第一個太陽能發(fā)電系統(tǒng)，使得該電池的實用化向前邁進了一大步。

國內(nèi)，南開大學(xué)研發(fā)的電池光電轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)達到14%，接近世界先進水平。目前，Cu（In，Ga）Se2薄膜太陽電池實驗室最高轉(zhuǎn)換效率達到了20.3%（3）。黃銅礦系薄膜太陽能電池是未來的太陽能電池主流產(chǎn)品之一，可廣泛用于大型太陽能電站、節(jié)能樓宇玻璃及航空航天等軍事用途，有著巨大的市場需求。

2.2.3砷化鎵、磷化銦薄膜太陽電池

首次發(fā)現(xiàn)GaAs材料具有光伏效應(yīng)在1954年，至今已有50多年。在1956年，LoferkiJ.J.研究探討了制造太陽電池的最佳材料的物性；20世紀60年代，Gobat等研制出第1摻鋅GaAs太陽電池，轉(zhuǎn)化率僅為9%～10%；20世紀70年代，IBM公司和前蘇聯(lián)loffe技術(shù)物理所等研究單位，采用液相外延技術(shù)引入GaAlAs異質(zhì)窗口層，降低了GaAs表面的復(fù)合速率，使GaAs太陽電池的效率達16%；不久，美國HRL等通過改了LPE技術(shù)使得電池平均效率提高到18%，并實現(xiàn)了批量生產(chǎn)；從上世紀80年代后，GaAs太陽電池技術(shù)經(jīng)歷了從LPE到MOCVD，從同質(zhì)外延到異質(zhì)外延，從單結(jié)到多結(jié)疊層結(jié)構(gòu)的幾個發(fā)展階段，其發(fā)展速度日益加快，效率也不斷提高。目前實驗室最高效率已達到50%，產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化率可達以上30%。

2.3有機薄膜太陽電池

有機太陽電池主要包括染料敏化、聚合物薄膜太陽電池，其原理與光合作用類似，通過載有染料的半導(dǎo)體電極將光能轉(zhuǎn)換為電能。早期以載有單層染料分子的平板電極作為吸收層，轉(zhuǎn)換效率較低。1991年Gratzel教授首次使用載有染料光敏劑的多孔TiO2替代平板電極，將轉(zhuǎn)換效率提高到了 7.1%。從此，染料敏化薄膜太陽電池得到了較快的發(fā)展。2001年澳大利亞STA公司建立了第一個DSCS工廠；2003年臺灣工業(yè)技術(shù)研究院能源研究所開發(fā)出納米晶體染料敏化薄膜太陽電池，將光電轉(zhuǎn)換效率提高到了8%-12%；2004年日立成功研制了大尺寸染料敏化薄膜太陽能電池，光電轉(zhuǎn)換效率達9.3%；同年，Peccell Technologies公司開發(fā)出高壓（4V）的染料敏化納米晶薄膜太陽電池，可作為下一代薄膜電池。目前，染料敏化薄膜太陽電池實驗室最高效率達到了11.4%。

與染料敏化薄膜太陽電池相比，有機聚合物薄膜電池具有柔韌性好、成本低廉、容易加工等優(yōu)點，其研究處于剛剛起步階段，使用壽命和電池效率不能和其他成熟的電池產(chǎn)品相比。目前，有機聚合物薄膜電池實驗室光電轉(zhuǎn)換效率為10%左右。

3.小結(jié)

綜上所述，薄膜太陽能電池在節(jié)約能源、降低成本方面具有較大的優(yōu)勢與發(fā)展前景。但薄膜太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率還有進一步提升的空間，通過不斷出現(xiàn)的新技術(shù)，如量子點、納米表面結(jié)構(gòu)、背反射技術(shù)等等，將會進一步提升電池效率，推動薄膜太陽電池上一個新的臺階。

篇6

勤奮鉆研，鑄就科研里程碑

早1995年大學(xué)畢業(yè)后，胡鑒勇在家鄉(xiāng)的一所中學(xué)擔(dān)任了9年的化學(xué)教師；2004年留學(xué)于日本佐賀大學(xué)獲得工學(xué)博士學(xué)位，隨后進入日本山形大學(xué)有機光電子研究中心，OLED研究世界權(quán)威科學(xué)家城戶淳二教授（Prof. Junji Kido）研究室進行博士后研究，并在日本世界級科研中心-日本理化學(xué)研究所RIKEN，跟隨著名有機半導(dǎo)體材料科學(xué)家龍宮和男教授（Prof. Kazuo Takimiya）從事特別研究員工作；2015年由陜西師范大學(xué)以海外高層次人才-陜西省“百人計劃”特聘教授身份引進到陜師大材料科學(xué)與工程學(xué)院工作。

“勤奮、刻苦、創(chuàng)新、突破”是胡鑒勇博士的特點，在日本求學(xué)工作期間，他參與過一項日本國家研發(fā)課題（高效有機電子器件研發(fā)），承擔(dān)過日本文部科學(xué)省、日本新能源和產(chǎn)業(yè)技術(shù)開發(fā)機構(gòu)（NEDO）和日本科學(xué)技術(shù)振興機構(gòu)（JST）資助的多項研究課題。

在有機深藍熒光材料的研究方面胡鑒勇博士貢獻卓著。高效率的深藍發(fā)光能最大限度地提高全彩顯示品質(zhì)或照明的顯色指數(shù)，有效降低OLED顯示器的功耗，開發(fā)性能好的藍光材料，尤其是具有高的發(fā)光效率和CIE色度坐標Y值小于0.10的深藍光材料對于實現(xiàn)高性能的OLED器件意義重大，胡鑒勇博士設(shè)計合成了一類新的蒽類衍生物―基于雙蒽的D-A型深藍延遲熒光材料，通過對傳統(tǒng)的藍光始祖材料蒽分子進行一系列結(jié)構(gòu)上的修飾，包括采取苯基為中心橋鏈和pi共軛阻隔基團，在其對位上分別引入以單蒽為核的電子供體單元（D）和電子受體單元（A），形成了具有獨特的雙蒽結(jié)構(gòu)的D-A型材料分子，以該類材料為發(fā)光體，成功實現(xiàn)了滿足高清晰度電視（HDTV）藍光標準的高效率器件，對實現(xiàn)高性能OLED器件具有“里程碑”式的創(chuàng)新意義。該工作發(fā)表在材料領(lǐng)域國際頂尖期刊《先進功能材料》上（Adv. Funct. Mater. 2014， 24， 2064），并入選SCI高被引論文（top 1%）。

在空氣穩(wěn)定的、高遷移率的雙極性有機半導(dǎo)體材料的研究方面胡鑒勇博士成績斐然。開發(fā)空氣穩(wěn)定的、高遷移率的n型和雙極性有機半導(dǎo)體材料，是實現(xiàn)高性能OFET的前提。胡鑒勇博士和團隊成員一起合作開發(fā)了一種全新的電子受體單元―萘并二噻吩二酰亞胺（NDTI），以其為共聚電子受體中心的D-A型聚合物實現(xiàn)了空氣穩(wěn)定的，高遷移率的n型和雙極性有機場效應(yīng)晶體管，該成果發(fā)表在美國化學(xué)會上（J. Am. Chem. Soc. 2013， 135， 11445），并入選SCI高被引論文（top 1%）。以此為契機，胡鑒勇博士進一步基于NDTI發(fā)展了新型雙極性有機小分子材料，并實現(xiàn)了空氣穩(wěn)定的、可溶液加工的、高遷移率的雙極性有機場效應(yīng)晶體管和互補邏輯電路（J. Mater. Chem. C， 2015， 3， 4244； Chem. Mater. 2015， 27， 6418）。

在非富勒烯受體材料的研究方面胡鑒勇博士成效顯著。近些年來，以聚合物電子給體和富勒烯電子受體材料為活性層的本體異質(zhì)結(jié)太陽能電池取得了巨大的進步，但由于富勒烯價格昂貴、吸收光譜和能級調(diào)制較為困難，開發(fā)高效的n型聚合物電子受體材料來替代富勒烯備受業(yè)界關(guān)注。胡鑒勇博士開發(fā)的基于NDTI的有機小分子和聚合物，作為非富勒烯受體材料，在全聚合物OPV器件中取得了較好的光電轉(zhuǎn)換效率（ACS Macro Lett. 2014， 3， 872）。

迄今為止，胡鑒勇博士以第一作者或通訊作者在Adv. Funct. Mater.； J. Am. Chem. Soc.； Chem. Commun.； Org. Lett.； J. Mater. Chem. C.； Chem. Eur. J.；和J. Org. Chem.等國際著名學(xué)術(shù)期刊上共發(fā)表SCI論文30余篇，受邀撰寫英文論著1章， 在國際學(xué)術(shù)會議上作講演報告20余次，多次受邀在國內(nèi)著名大學(xué)和學(xué)會上做學(xué)術(shù)交流報告，申請日本專利多項，已授權(quán)2項。多年來作為一名有機光電子材料領(lǐng)域的科研人員，胡鑒勇博士兢兢業(yè)業(yè)、孜孜以求，以自己的實際行動為鑄就科研力量不斷添磚加瓦。

迎接挑戰(zhàn)，提升人生新高度

“十年彈指一揮間”，十年前為了提升人生高度，豐富人生閱歷，胡鑒勇博士以34歲的“高齡”選擇自費出國留學(xué)路，付出了常人難以想象的的艱辛和努力；十年后懷揣著拳拳赤子之心，胡鑒勇博士毅然謝絕多家日本和國內(nèi)公司的誠意邀請，選擇了陜西師范大學(xué)作為自己事業(yè)發(fā)展的新平臺。

篇7

LED(Lighting Emitting Diode)即發(fā)光二極管，是一種半導(dǎo)體固體發(fā)光器件。它是利用固體半導(dǎo)體芯片作為發(fā)光材料，在半導(dǎo)體中通過載流子發(fā)生復(fù)合放出過剩的能量而引起光子發(fā)射，直接發(fā)出紅、黃、藍、綠、青、橙、紫、白色的光。

發(fā)光二極管的核心部分是由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體組成的晶片，在p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體之間有一個過渡層，稱為p-n結(jié)。在某些半導(dǎo)體材料的PN結(jié)中，注入的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合時會把多余的能量以光的形式釋放出來，從而把電能直接轉(zhuǎn)換為光能。PN結(jié)加反向電壓，少數(shù)載流子難以注入，故不發(fā)光。目前，發(fā)光半導(dǎo)體材料主要由III-V族元素組成，例如磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)，氮化鎵等等。

1 LED特點

LED的內(nèi)在特征決定了它是用最理想的光源去代替?zhèn)鹘y(tǒng)的光源，有著廣泛的用途。

(1)體積小。LED基本上是一塊很小的晶片被封裝在環(huán)氧樹脂里面，所以它非常的小，非常的輕。

(2)耗電量低。高節(jié)能:LED耗電非常低，一般來說LED的工作電壓是2 V~3.6 V。工作電流是0.02 A~0.03 A。這就是說:它消耗的電不超過0.1 W。

(3)使用壽命長。在恰當?shù)碾娏骱碗妷合?，LED高亮度、低熱量，比HID或白熾燈更少的熱輻射，有人稱它為長壽燈，意為永不熄滅的燈。

(4)環(huán)保。LED是由無毒的材料制成，不像熒光燈含水銀會造成污染，同時LED也可以回收再利用。

(5)堅固耐用。LED是被完全的封裝在環(huán)氧樹脂里面，它比燈泡和熒光燈管都堅固。燈體內(nèi)也沒有松動的部分，這些特點使得LED可以說是不易損壞的。同時LED可控性強，可以實現(xiàn)各種顏色的變化。

基于LED光源的以上優(yōu)點，筆者認為應(yīng)當推廣使用LED，以此達到節(jié)約電力資源的目標。

2 具體應(yīng)用

2.1 用作信號燈

LED信號燈較傳統(tǒng)信號燈有著明顯的優(yōu)勢:

(1)由于LED發(fā)出的光束是向前的并具有一定發(fā)散角，這樣就可以不必像白熾燈需要加裝反光碗。而且LED本身發(fā)出的是色光，可根據(jù)實際情況隨意調(diào)節(jié)設(shè)置所需顏色，達到區(qū)別辨識的不同目的，減少重復(fù)設(shè)置多色彩燈的麻煩，提高光利用率。

(2)工作壽命長，為5～10年，維修保養(yǎng)費用低。而傳統(tǒng)信號燈每年至少需要更換3~4次，維修保養(yǎng)費用高，需要耗費相當?shù)娜肆途︺@研此項工作。

(3)功耗小，一般約僅為白熾燈光源信號燈的10%～20%，這一點是符合國家的相關(guān)能源政策。

(4)由于單個LED僅為整個信號燈燈盤殊的一個發(fā)光單元，只要信號燈線路板設(shè)計合理，即使個別LED燒毀，也不會影響別的LED發(fā)光單元，從而影響信號燈整體效果。

2.2 用在照明領(lǐng)域

2.2.1 耗電量少

LED單管功率0.03 W～0.06 W，采用直流驅(qū)動，單管驅(qū)動電壓1.5 V～3.5 V，電流15 A～18 A，反應(yīng)速度快，可高頻操作。在同樣照明效果的情況下，耗電量是白熾燈泡的1/8，熒光燈管的1/2，初步估計，如采用光效比熒光燈還要高兩倍的LED替代該礦一半的白熾燈和熒光燈，每年可節(jié)約35%的現(xiàn)用照明電量。

2.2.2 使用壽命長

普通照明光源采用電子光場輻射發(fā)光，有燈絲發(fā)光易燒、熱沉積、光衰減等缺點。而采用LED燈體積小、重量輕，環(huán)氧樹脂封裝，可承受高強度機械沖擊和震動，不易破碎，平均壽命達10 萬h。

2.2.3 安全可靠性強

發(fā)熱量低，無熱輻射，冷光源，可以安全觸摸;能精確控制光型及發(fā)光角度，光色柔和，無眩光;不含汞、鈉元素等可能危害健康的物質(zhì)。內(nèi)置微處理系統(tǒng)可以控制發(fā)光強度，調(diào)整發(fā)光方式，實現(xiàn)光與藝術(shù)結(jié)合。

2.2.4 有利于環(huán)保

LED為全固體發(fā)光體，耐震、耐沖擊不易破碎，廢棄物可回收，沒有污染。光源體積小，可以隨意組合，易開發(fā)成輕便薄短小型照明產(chǎn)品，也便于安裝和維護。

3 應(yīng)用前景

篇8

組長：吳曉平

成員：何艷霞

張 莉

董藍娟

關(guān)春燕

張瑞芳

鄭芳麗

頓 丹

郭 露

談判背景資料：

天津半導(dǎo)體工廠欲改造其生產(chǎn)線，需要采購設(shè)備、備件和技術(shù)。適合該廠的供應(yīng)商在美國，日本各地均可找到兩家以上。正在此時，香港某生產(chǎn)商的推銷人員去天津訪問，找到該廠采購人員表示可以為該廠提供所需的設(shè)備和技術(shù)。由于香港客商講中文，又是華人，很快關(guān)系就熟悉了。工廠表示了采購意向，但由于香港生產(chǎn)商的知名度較低，天津半導(dǎo)體工廠對其產(chǎn)品一直存有疑慮，于是答應(yīng)安排一次談判，對相關(guān)事宜進行商談。我們第五組在主談人員吳曉平的帶領(lǐng)下，與第六組即香港供應(yīng)商進行談判。下面是我們在與其談判前做的調(diào)查工作： 公司企業(yè)背景資料：

天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司是一家集科研、生產(chǎn)、經(jīng)營、創(chuàng)投于一體的國有控股高新技術(shù)企業(yè)，擁有獨特的半導(dǎo)體材料-節(jié)能型半導(dǎo)體器件和新能源材料-新能源器件雙產(chǎn)業(yè)鏈。該公司是在深圳證券交易所上市的公眾公司，股票代碼002129。注冊資本482,829,608元，總資產(chǎn)達20.51 億。年銷售額超過2億元,產(chǎn)品行銷全國并遠銷海外18個國家和地區(qū)。高壓硅堆產(chǎn)銷量居世界第1位，國際市場占有率達到43%，國內(nèi)市場占有率達到57%。微波爐用高壓硅堆國際市場占有率達到55%。 在單晶硅材料領(lǐng)域，形成了以直拉硅棒、區(qū)熔硅棒、直拉硅片、區(qū)熔硅片為主的四大產(chǎn)品系列，是中國硅單晶品種最齊全的廠家之一, 區(qū)

熔硅單晶的國內(nèi)市場占有率在65%以上，產(chǎn)量和市場占有率已連續(xù)5年居國內(nèi)同行業(yè)首位，產(chǎn)銷規(guī)模居世界第三位 ， 公司現(xiàn)有專利技術(shù)15項，專有技術(shù)200多項，形成了一系列自主知識產(chǎn)權(quán)。公司致力于半導(dǎo)體節(jié)能和新能源產(chǎn)業(yè)，是一家集半導(dǎo)體材料-新能源材料和節(jié)能型半導(dǎo)體器件-新能源器件科研、生產(chǎn)、經(jīng)營、創(chuàng)投于一體的國有控股企業(yè)，擁有全球獨特的雙產(chǎn)業(yè)鏈，是天津市高新技術(shù)企業(yè)，擁有1個博士后科研工作站、2家省部級研發(fā)中心。 且憑借獨特的產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢、持續(xù)不斷的技術(shù)創(chuàng)新能力和友好的商業(yè)界面，進一步完善以節(jié)能型產(chǎn)品和新能源產(chǎn)品為導(dǎo)向的產(chǎn)業(yè)格局，為股東、合作伙伴、員工創(chuàng)造最大價值，實現(xiàn)企業(yè)、社會、環(huán)境的可持續(xù)發(fā)展。

、市場環(huán)境調(diào)研：

自20xx年天津濱海新區(qū)納入國家xx規(guī)劃和國家發(fā)展戰(zhàn)略，并批準濱海新區(qū)為國家綜合配套改革試驗區(qū)，天津的經(jīng)濟重新展現(xiàn)出活力，并被譽為中國經(jīng)濟第三增長極20xx年3月22日國務(wù)院常務(wù)會議，將天津完整定位為國際港口城市、北方經(jīng)濟中心、生態(tài)城市 ，從此京津之間的北方經(jīng)濟中心之爭，終于落下帷幕。20xx年起，開始落戶天津舉辦，匯聚了數(shù)千全球政界、商界和學(xué)界精英人士參與討論世界經(jīng)濟議題，而夏季達沃斯論壇的永久會址位于建設(shè)中的北塘國際會議中心。截至20xx年，世界500強跨國公司已有150家在天津落地生根，投資項目共396個，合同外資額達81億美元。[10] 中國社會科學(xué)院在

二、市場需求調(diào)研：

由于城鎮(zhèn)居民收入水平大幅提高，居民消費水平也顯著提高。20xx年天津市人均消費支出11,141元，比20xx年增長了57.5%。城鎮(zhèn)居民的消費結(jié)構(gòu)正在向享受型和發(fā)展型轉(zhuǎn)變，故人們的消費觀念也會隨之提高，對高檔品的需求會越來越高，所以該產(chǎn)品市場需求空間很大。

三、市場競爭狀況：

公司單晶硅品種齊全，其中區(qū)熔系列單晶硅產(chǎn)品產(chǎn)銷規(guī)模全球排名第三、國內(nèi)市場份額超過70%，產(chǎn)量和市場占有率已連續(xù)多年居國內(nèi)同行業(yè)首位;直拉單晶及硅片技術(shù)和產(chǎn)銷規(guī)模方面居國內(nèi)前列;拋光片產(chǎn)業(yè)采用國際一流的新技術(shù)、新工藝流程，獨立開發(fā)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的大直徑硅拋光片生產(chǎn)技術(shù)，研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化水平處于國內(nèi)領(lǐng)先位置;太陽能硅材料產(chǎn)業(yè)經(jīng)過產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)驗證，與國內(nèi)同行業(yè)相比單位兆瓦直拉晶體生長投資下降了33%以上，生產(chǎn)效率提高了60%以上，生產(chǎn)成本降低了25%以上;半導(dǎo)體整流器件產(chǎn)業(yè)經(jīng)過多年技術(shù)創(chuàng)新的積淀，掌握了從芯片到封裝的全套核心技術(shù);節(jié)能型半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)在凈化間設(shè)計、動力配套、裝備水平、產(chǎn)品品種、產(chǎn)品技術(shù)方面均處于國內(nèi)同行業(yè)領(lǐng)先水平。所以該公司潛力很大，能為它提供設(shè)備和技術(shù)的供應(yīng)商有很多。如：1)羅姆(ROHM)半導(dǎo)體集團是全球著名半導(dǎo)體廠商之一，創(chuàng)立于1958年，是總部位于日本京都市的跨國集團公司。品質(zhì)第一是羅姆的一貫方針。我們始終將產(chǎn)品質(zhì)量放在第一位。歷經(jīng)半個多世紀的發(fā)展，羅姆的生產(chǎn)、銷售、研發(fā)網(wǎng)絡(luò)遍及世界各地。產(chǎn)

品涉及多個領(lǐng)域，其中包括IC、分立半導(dǎo)體、光學(xué)半導(dǎo)體、被動元件以及模塊產(chǎn)品。在世界電子行業(yè)中，羅姆的眾多高品質(zhì)產(chǎn)品得到了市場的許可和贊許，成為系統(tǒng)IC和最新半導(dǎo)體技術(shù)方面首屈一指的主導(dǎo)企業(yè)。羅姆十分重視中國市場，已陸續(xù)在全國設(shè)立多家代表機構(gòu)，在大連和天津先后開設(shè)工廠，并在上海和深圳設(shè)立技術(shù)中心和品質(zhì)保證中心提供技術(shù)和品質(zhì)支持。在天津進行晶體管、二極管、LED、半導(dǎo)體激光、LED顯示器的生產(chǎn)、在大連進行電源模塊、熱敏打印頭、多線傳感頭、光電模塊的生產(chǎn)，作為羅姆半導(dǎo)體集團的主力生產(chǎn)基地，源源不斷地向中國國內(nèi)外提供高品質(zhì)產(chǎn)品。 2)美國國家半導(dǎo)體公司(National Semiconductor)簡稱國半或者國家半導(dǎo)體，成立于1959年，是著名的模擬和混合信號半導(dǎo)體制造商，也是半導(dǎo)體工業(yè)的先驅(qū)。公司總部設(shè)在美國加州。國半公司致力于利用一流的模擬和數(shù)字技術(shù)為信息時代創(chuàng)造高集成度的解決方案。它的生產(chǎn)網(wǎng)點遍布全球，在美國德克薩斯州、緬因州和蘇格蘭建有晶片制造廠，在馬來西亞和新加坡建有檢驗中心和裝配廠。美國國家半導(dǎo)體是先進的模擬技術(shù)供應(yīng)商，一直致力促進信息時代的技術(shù)發(fā)展。該公司將現(xiàn)實世界的模擬技術(shù)與先進的數(shù)字技術(shù)結(jié)合一起，并利用這些集成技術(shù)致力開發(fā)各種模擬半導(dǎo)體產(chǎn)品，其中包括電源管理、圖像處理、顯示驅(qū)動器、音頻系統(tǒng)、放大器及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換等方面的獨立式設(shè)備及子系統(tǒng)。該公司主要以無線產(chǎn)品、顯示器、個人計算機與網(wǎng)絡(luò)，及各種不同的便攜式產(chǎn)品為市場目標。NS(美國國家半導(dǎo)體公司)是推動信息時展的領(lǐng)先模擬技術(shù)公司。國半將真實世界的模擬技術(shù)和完美工藝的數(shù)字技術(shù)相結(jié)合，專注基于模擬技術(shù)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，包括電源管理、圖像技術(shù)、顯示驅(qū)動器、音頻、放大器和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域的獨立元件和子系統(tǒng)。國半關(guān)鍵的目標市場包括無線應(yīng)用、顯示器、PC、網(wǎng)絡(luò)和各種便攜式應(yīng)用。 3)天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司是從事半導(dǎo)體材料硅單晶、硅片的生產(chǎn)企業(yè)。擁有40余年的生產(chǎn)歷史和專業(yè)經(jīng)驗，形成了以直拉硅單晶、區(qū)熔硅單晶、直拉硅片、區(qū)熔硅片為主的四大產(chǎn)品系列，是中國硅單晶品種最齊全的廠家之一。

四、企業(yè)內(nèi)部環(huán)境：

公司試驗室具有SEM顯微鏡分析、X射線、SRP測試等高端分析設(shè)備和HTRB、PCT、熱電阻等可靠性試驗設(shè)備，能夠滿足半導(dǎo)體產(chǎn)品的大部分可靠性測試試驗。公司還擁有版圖設(shè)計、工藝與器件仿真等軟件平臺，可以提高新品開發(fā)的效率。功率器件事業(yè)部與國內(nèi)外多家原材料供應(yīng)商、光刻版制造公司、設(shè)計公司、封裝/測試公司、設(shè)備制造商，等建立了長期的戰(zhàn)略合作關(guān)系，可以為產(chǎn)品研發(fā)進行新產(chǎn)品的試作、量產(chǎn)等提供豐富的資源和強有力的支持，大大縮短研發(fā)流片周期，提高研發(fā)效率;

公司的高壓硅堆優(yōu)勢明顯：1)CRT電視機及顯示器市場，公司市場占有率為60%，其余市場主要被日本富士電機公司、日本三肯公司、日本日立公司和江蘇皋鑫電子有限公司等公司占據(jù)，在該領(lǐng)域公司在技術(shù)和市場方面具有絕對優(yōu)勢;

2)微波爐市場，公司占據(jù)了43%的市場份額;3)在CRT電視機、顯示器以外的市場，日本公司具有傳統(tǒng)形成的市場優(yōu)勢。國內(nèi)主要同行廠家有：江蘇如皋皋鑫電子有限公司、樂山無線電股份有限公司、重慶平洋電子有限公司、鞍山市電子電力公司。而公司20xx年的年銷量達到7.3億支，超過以上四個同行廠家年銷量總和的一倍以上，規(guī)模優(yōu)勢明顯。

單晶硅及硅片：公司與同行業(yè)競爭的優(yōu)勢主要表現(xiàn)在以下幾個方面：1)多

晶硅供應(yīng)有保障、區(qū)熔單晶硅具備全球意義的強大綜合競爭力;2)直拉單晶硅具備國內(nèi)意義的較強競爭力;3)擁有具有重大商業(yè)價值的專利及專有技術(shù);5)產(chǎn)品品種齊全。公司與同行業(yè)競爭的劣勢主要表現(xiàn)在產(chǎn)業(yè)規(guī)模小和資金投入少。

原料優(yōu)勢：從20xx年公司存貨中的原材料情況看，主要為多晶硅、硅片和單晶硅棒，三項合計3879.49萬元，占原材料總額的77.18%。多晶硅、單晶硅、硅片是公司生產(chǎn)的重要原材料。近年來，硅材料市場價格上漲，供不應(yīng)求，擁硅為王已成業(yè)內(nèi)共識，自20xx年初，公司開始增加硅儲備。這是公司的一大明顯優(yōu)勢，但是也是一個短期優(yōu)勢。

但是面對嚴峻的市場競爭狀況，該公司仍然面臨巨大的挑戰(zhàn)，需要居安思危，具備憂患意識才能勝出。

五、談判對象：

香港隆通設(shè)備有限公司，該公司剛成立不久，雖然可以提供我方所需的設(shè)備被和技術(shù)，但是知名度較低，公司的信譽和產(chǎn)品的質(zhì)量都有待調(diào)查和研究。香港隆通有限公司的優(yōu)勢是發(fā)展迅速，有很大的發(fā)展前景。

商務(wù)談判調(diào)研報告篇02：談判實習(xí)報告本次的商務(wù)談判實習(xí)，使我受益良多。首先就是讓我明白了一個團隊的重要性，個人的發(fā)展離不開團隊。其次，通過商務(wù)談判實習(xí)，使我對談判有了更深刻的理解，這也為以后打下了良好的基礎(chǔ)。最后，通過對商務(wù)談判的實習(xí)也更加磨練了自我，增加了個人經(jīng)歷和閱歷，學(xué)會了如何與團隊合作與分享。

我在此次談判中所扮演的角色是河南第一建筑集團有限責(zé)任工程的技術(shù)總監(jiān)。技術(shù)總監(jiān)一般負責(zé)一個企業(yè)的技術(shù)管理體系的建設(shè)和維護，制定技術(shù)標準和相關(guān)流程，能夠帶領(lǐng)和激勵自己的團隊完成公司賦予的任務(wù)，實現(xiàn)公司的技術(shù)管理和支撐目標，為公司創(chuàng)造價值!一個好的技術(shù)總監(jiān)不僅要自身具有很強的技術(shù)管理能力，同時，也要有很強的技術(shù)體系建設(shè)和團隊管理的能力，要對企業(yè)所在行業(yè)具有深入理解，對行業(yè)技術(shù)發(fā)展趨勢和管理現(xiàn)狀具有準確的判斷。 同時作為一個技術(shù)總監(jiān)，我認為不僅要對本公司的產(chǎn)品感興趣，非常了解，還要博覽其他公司的產(chǎn)品，不斷創(chuàng)新，努力奮斗，為公司作出更大的貢獻。

作為一個技術(shù)總監(jiān)，我在這幾天的實習(xí)過程中，通過對各個鋼鐵產(chǎn)品公司的產(chǎn)品與技術(shù)的對比，讓我明白了，作為一個技術(shù)總監(jiān)，對公司的產(chǎn)品富有重要責(zé)任，一個公司的產(chǎn)品質(zhì)量必須合格，技術(shù)人員必須認真負責(zé)，技術(shù)的重要性對公司非常重要。同時也讓我明白了，溝通的重要性，一個優(yōu)秀的技術(shù)人員不僅需要過硬的技術(shù)，還必須有良好的溝通能力，協(xié)調(diào)各個部門，才能順利的發(fā)展產(chǎn)品，才能更好的研發(fā)出更好的產(chǎn)品。

本次談判讓我感觸最深的就是一個團隊的合作精神。我們這個團隊是一群有能力，有信念的人在特定在商務(wù)談判的團隊中，為了一個 共同的目標相互支持合作奮斗的。我們的團隊可以調(diào)動團隊成員的所有資源和才智，并且會自動地驅(qū)除所有不和諧現(xiàn)象。我們這個團隊大家經(jīng)過努力迸發(fā)出強大的力量。我們談判組的總經(jīng)

理，財務(wù)總監(jiān)，采購部部長，總經(jīng)理助理，法律顧問和技術(shù)總監(jiān)，大家這個團隊努力合作，各有分工，且分工明確，通過大家不懈的努力，通過資料不斷的匯總，然后大家在一起不斷的修改，再努力，技術(shù)分析報告，采購策劃書，合同等資料相互總結(jié)，最終形成了一份完美的談判策劃書。

我們這個團隊充分發(fā)揚了團隊精神，通過實習(xí)讓我明白了團隊精神的意義和重要性，在一個組織或部門之中，團隊合作精神顯得尤為重要，在一個組織之中，很多時候，合作的成員不是我們能選擇得了的，所以，很可能出現(xiàn)組內(nèi)成員各方面能力參差不齊的情況，如果作為一個領(lǐng)導(dǎo)者，此時就需要很好的凝聚能力，能夠把大多數(shù)組員各方面的特性凝聚起來，同時也要求領(lǐng)導(dǎo)者要有很好地與不同的人相處與溝通的能力。要加強與他人的合作，首先就必須保證集體成員是忠誠的，有責(zé)任心的，有意志力的，而且，還要有著對于自身團隊的榮譽感，使命感。必須信任團隊的所有成員，彼此之間要開誠布公，互相交心，做到心心相印，毫無保留;要與團隊的每一個成員緊密合作，直到整個團體都能緊密合作為止;分析每一個成員完成工作的動機，分析他們的能力，針對我們每個人的問題，集思廣議，多聽聽大家的建議，同時，我們相互談?wù)?，談判工作上工作上對大家有一定要求，做好團隊成員之間的溝通和協(xié)調(diào)工作，使整個團隊像一臺機器一樣，有條不紊地和諧運轉(zhuǎn)。

篇9

中圖分類號：TB34

新材料研制和國家科學(xué)技術(shù)與生產(chǎn)力發(fā)展密切相關(guān)，同時也是國家經(jīng)濟發(fā)展根本保障之一。在世界范圍內(nèi)，新材料研制是國家計劃中的重點研究內(nèi)容。本世紀正處于光電子時代，而光電信息功能材料不但有電子材料穩(wěn)定性特點，還有光子材料先進性特點，廣泛應(yīng)用于電子時代，發(fā)展前景極好。

1 概述光電信息功能材料

信息科學(xué)發(fā)展進程中，材料研究作為技術(shù)發(fā)展先導(dǎo)，是發(fā)現(xiàn)與完善現(xiàn)代化科學(xué)規(guī)律重要基礎(chǔ)。人們從量子論發(fā)展中得到原子中電子物理運動規(guī)律，特別是最外層的電子運動規(guī)律，最先研究的功能材料是金屬，例如：不銹鋼、有色金屬、黑色金屬和特殊鋼材等，并且電子層次微觀物理逐漸應(yīng)用量子論。

其次，半導(dǎo)體材料開發(fā)和利用，電力材料的技術(shù)科學(xué)發(fā)展地位有所提高，研究功能材料是科學(xué)發(fā)現(xiàn)的前提保障，同時也是技術(shù)開發(fā)的物質(zhì)基礎(chǔ)，在整個科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域中都有所體現(xiàn)。并且由于新興起來的光纖技術(shù)，將激光技術(shù)和光纖技術(shù)結(jié)合使用，為發(fā)展信息技術(shù)奠定堅實基礎(chǔ)。正是由于光存儲和光集成技術(shù)，光電信息功能材料研究范圍越來越廣，走入到微觀物理層次，覆蓋包括無機和有機、金屬和非金屬、靜態(tài)和非靜態(tài)科學(xué)技術(shù)，將計算機應(yīng)用在信息高智能存儲，傳輸與處理方面，使得信息技術(shù)發(fā)展迅速。

2 光電信息功能材料研究重點

2.1 半導(dǎo)體光電材料

半導(dǎo)體介于絕緣體和導(dǎo)體之間的一種材料，半導(dǎo)體光電材料可將電能轉(zhuǎn)化為光，將光轉(zhuǎn)化為電，也可處理和擴大光電信號。21世紀上半葉至今，半導(dǎo)體量子和異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料仍然把光電信息功能材料作為研發(fā)主要內(nèi)容。

2.1.1 硅微電子材料。微電子技術(shù)基礎(chǔ)是集成電路為主要核心的半導(dǎo)體器件，是一種高新電子技術(shù)。半導(dǎo)體光伏太陽能電池和集成電路主原材料，是新能源與信息基礎(chǔ)。隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和光伏產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展，我國硅材料規(guī)模迅速壯大和發(fā)展。并且，硅微電子信息功能材料與現(xiàn)代化信息時代相聯(lián)系，其具有質(zhì)量輕、可靠性高和體積小等特點。半導(dǎo)體硅微光電信息功能材料，可提高硅集成電路使用性能成品率，但是從成本角度分析，解決硅片直徑的增大問題形成了一系列缺陷密度與均勻性變差。并且，從半導(dǎo)體器件特征性尺寸角度；硅集成角度來看，硅材料是未來研制方向。在鍺化硅材料生長應(yīng)變硅材料技術(shù)基礎(chǔ)上，其可提高器件驅(qū)動的電流和晶體管速度，其廣泛應(yīng)用性可能會替代65nm以下的互補性金屬氧化物的半導(dǎo)體電路主流技術(shù)。在硅材料技術(shù)應(yīng)用的同時，人們也在研制雙柵-多柵器件、高K柵介質(zhì)、銅互連技術(shù)和應(yīng)變溝道技術(shù)。目前，硅微電子技術(shù)難以滿足龐大市場需求和信息量，需要在全新原理材料、電路技術(shù)和器件技術(shù)深入研究，例如：納米電子技術(shù)、光計算機技術(shù)和量子信息技術(shù)。

2.1.2 量子級聯(lián)的激光器材料。在通信和移動通信領(lǐng)域，廣泛使用超晶格和量子阱材料，量子阱材料集分子束外延和量子工程為一體，打破了半導(dǎo)體使用限制性，真正體現(xiàn)出了國家納米級量子器件的核心技術(shù)。并且其發(fā)展到現(xiàn)在，QCL在遠紅光外源、紅外對抗、遙控化學(xué)和自由空間內(nèi)通信等較為突出。QCL高新技術(shù)研究面也更加廣闊，其中，可調(diào)諧中紅外激光器在國外步入工業(yè)化階段。

2.1.3 光子帶隙功能材料。光子帶隙材料常稱為光子晶體，其具有介電函數(shù)、周期性變化調(diào)制材料的光子狀態(tài)運行模式。根據(jù)周期性的空間排列規(guī)則和特點，光子晶體分為一維、二維與三維形式。重點分析二維光子晶體，半導(dǎo)體薄片堆層其可以進一步制出硅基二維光子晶體和高品質(zhì)因數(shù)光子微腔含單量子點砷化鎵基二維光子晶體微腔，有較廣闊的應(yīng)用空間。例如：借助于圈內(nèi)反射可限制光電在晶體內(nèi)的反應(yīng)，也就是光子晶體反應(yīng)，以便控制光色散；其次，光子晶體可制作出計算機芯片，計算機的運行和運算速度均有所提高。對于三維光子晶體，特別是可見光的三維光子晶體和近紅外波受到一定條件限制，因此，制備工藝較難。

2.2 納米光電功能材料

所謂納米材料，其是粒子尺寸介于1-100納米材料。納米光電功能材料是將光能轉(zhuǎn)化成化學(xué)能或電能一種納米行材料，其發(fā)展前景廣闊，性能好，被廣泛應(yīng)用于光存儲、光通信、光電探測器和全光網(wǎng)絡(luò)等方面。

尺度位于宏觀物體和原子簇交接區(qū)域，納米材料有小尺寸效應(yīng)、表面效應(yīng)、宏觀量子隧道效應(yīng)和量子尺寸效應(yīng)，產(chǎn)生點穴、光學(xué)、化學(xué)、熱血和磁學(xué)特征等，其中，表面效應(yīng)屬于納米光電材料重要特征之一，粒子性能決定性因素是表面原子，當表面原子數(shù)量增加到一定范圍內(nèi)，原子數(shù)量越多，缺陷程度就會越大，納米光電材料活性就越高。正是由于量子尺寸影響電學(xué)性質(zhì)，納米材料才會比一般性的光電材料光催化活性高。

2.3 光折變功能材料

光折變功能材料光照條件下會吸收光子，使電荷發(fā)生轉(zhuǎn)移，形成一定的空間電場，進而借助于電光效應(yīng)改變折射率。這種光電材料需要低功率就可以在室溫下進行光學(xué)信息處理和運算，因此有很好的發(fā)展前景。人們對光折變材料進行高密度數(shù)據(jù)的存儲、空間光調(diào)制、光放大、光學(xué)圖像處理和干涉測量等研究，并隨著對光折變效應(yīng)深入了解和發(fā)現(xiàn)新型材料，使得光折變材料應(yīng)用范圍更加廣泛。

3 光電信息功能材料制備方法

光電信息功能材料根據(jù)性能與尺寸的不同要求，因此包括有很多制備方法。常見的制備方法有：高溫固相反應(yīng)、濺射法、Sol-gel、PCVD、CVD等。

3.1 微波反應(yīng)燒結(jié)

我國通過微波輻射法合成物質(zhì)有硅酸鹽、氧化物、硫化物、磷酸鹽、鎢酸鹽和硼酸鹽等熒光體，利用各種物質(zhì)選擇光激勵，從而實現(xiàn)了溫室光譜燒孔。

3.2高溫固相反應(yīng)

高溫固相反應(yīng)是使用最廣泛的制備新型固體功能材料方式，我國上海硅酸鹽研究所使用提拉法技術(shù)生產(chǎn)出閃爍BGO晶體，歐洲核子研究所用晶體制造出正負電子撞機電磁量能器，出口總量高達千萬美元，經(jīng)濟效益很好。

3.3 濺射法

濺射鍍膜法通過直流或者是高頻電場讓惰性氣體形成電離反應(yīng)，此過程產(chǎn)生輝光放電離子體，其正離子與電子對靶材進行高速轟擊，濺射出靶材分子和原子，從而將這兩種物質(zhì)沉積在基材上，形成薄膜。

3.4 CVD（熱分解化學(xué)氣相沉積技術(shù)）

CVD主工藝過程是借助于過載氣輸送反應(yīng)物到反應(yīng)器中，并在一定反應(yīng)條件下，發(fā)生一定的化學(xué)反應(yīng)，形成顆粒大小的納米。隨著反應(yīng)基質(zhì)粒子和納米顆粒共同沉積到基片上，形成一層薄膜。薄膜形式有：反應(yīng)氣體和氣體擴散吸附于生長、擴散和揮發(fā)沉底表面，這種方法可制備出氟化物、氧化物和碳化物等納米復(fù)合型薄膜。

4 結(jié)束語

光電信息功能材料開發(fā)與研究需要通過量子物理支撐，目前其限定于光子、電子、電波和光波為主要信息載體，對研究量子物理，分析光電信息功能材料有重要作用。

參考文獻：

[1]王藜蓓，陳芬，周亞訓(xùn).集中光電信息功能材料的研究進展[J].新材料產(chǎn)業(yè)，2011（05）.

篇10

【中圖分類號】U472 【文獻標識碼】A 【文章編號】2095-3089（2012）04-0117-01

一、開設(shè)新專業(yè)的指導(dǎo)思想

在職業(yè)院校開設(shè)新的專業(yè)，應(yīng)以市場為導(dǎo)向，以社會需求為準則，充分發(fā)揮地方資源優(yōu)勢和人才培養(yǎng)優(yōu)勢。積極地探尋市場、發(fā)現(xiàn)市場，把供需鏈條緊緊連在一起。在北京市同層次院校的專業(yè)中，做到人無我有，人有我強，人強我特，形成品牌，形成特色。專業(yè)設(shè)置逐步從“條件驅(qū)動”型向“發(fā)展需求驅(qū)動”型轉(zhuǎn)變，即根據(jù)社會經(jīng)濟發(fā)展需求確定專業(yè)設(shè)置。從強調(diào)我能做什么，能培養(yǎng)什么樣的人才，轉(zhuǎn)變?yōu)閺娬{(diào)需要我做什么，需要培養(yǎng)什么樣的人才。本著以上指導(dǎo)思想，現(xiàn)提出開設(shè)微電子技術(shù)與器件專業(yè)的一些方案設(shè)想。

二、市場需求分析

微電子技術(shù)與器件專業(yè)，其就業(yè)導(dǎo)向涵蓋了集成電路和半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)。根據(jù)首都“十一五”電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃，集成電路、TFT?鄄LCD、計算機及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、移動通信產(chǎn)業(yè)、數(shù)字電視產(chǎn)業(yè)、半導(dǎo)體照明材料產(chǎn)業(yè)和智能交通及汽車電子產(chǎn)業(yè)等7個產(chǎn)業(yè)是信息產(chǎn)業(yè)下一步發(fā)展的重點領(lǐng)域。其中集成電路排在了第一位，半導(dǎo)體照明材料排在了第六位。早在2000年，北京市委、市政府就首次向全球宣布：北京將建設(shè)中國北方微電子產(chǎn)業(yè)基地。從那時到現(xiàn)在，北京集成電路產(chǎn)業(yè)走過了蓬勃興起的10年，初步建立起了集成電路設(shè)計、制造、封裝測試以及裝備材料互動協(xié)調(diào)發(fā)展的良好格局，確立了北京在全國集成電路產(chǎn)業(yè)中的重要地位。

以2010年為例，該年北京集成電路產(chǎn)業(yè)全產(chǎn)業(yè)鏈實現(xiàn)銷售收入245億元，比2009年增長了31%，產(chǎn)業(yè)規(guī)模是2000年的20倍左右，占全國的17%。在北京市，電子信息產(chǎn)業(yè)產(chǎn)品銷售收入排名位居全市工業(yè)第一，占全市工業(yè)23%，而集成電路產(chǎn)業(yè)全產(chǎn)業(yè)鏈的銷售就占了近四分之一。

目前，北京有各類集成電路設(shè)計企業(yè)約80多家，年總銷售收入約90億元，占全國的1/4。集成電路制造企業(yè)3-4（大型）家，實現(xiàn)總銷售收入約60億元，約占全國14%。集成電路封裝測試企業(yè)2-3家（大型），實現(xiàn)總銷售收入約90億元，約占全國15%。集成電路裝備制造企業(yè)3-4家（大型），實現(xiàn)銷售20多億元，多項裝備在全國處于領(lǐng)先地位。另外，還建有生產(chǎn)集成電路關(guān)鍵原料的硅材料科研、生產(chǎn)基地。

當前，北京集成電路產(chǎn)業(yè)正迎來跨越式發(fā)展的新機遇。國務(wù)院2011年4號文為集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供優(yōu)越的外部環(huán)境。相信要不了多久北京就會建成具有全球影響力的集成電路產(chǎn)業(yè)基地。

政府的大力支持，堅實的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，廣闊的發(fā)展前景，優(yōu)惠的國家政策，可以說集成電路產(chǎn)業(yè)在北京具有得天獨厚的條件。產(chǎn)業(yè)的發(fā)展必然伴隨著人才的巨大需求，雖然集成電路產(chǎn)業(yè)是知識和資金密集型產(chǎn)業(yè)，但它同樣需要大量應(yīng)用型技術(shù)人才。比如集成電路設(shè)計，需要大量的程序錄入和輔助支持技術(shù)人員；集成電路制造，需要大量的高科技設(shè)備儀器操作員、工藝技術(shù)員、質(zhì)量檢驗員和設(shè)備維護技術(shù)人員；集成電路封裝測試，同樣需要大量的高科技設(shè)備儀器操作員、工藝技術(shù)員、質(zhì)量檢驗員和設(shè)備維護技術(shù)人員。另外，半導(dǎo)體硅材料及單晶硅片的生產(chǎn)等，都需要大量的應(yīng)用型技術(shù)人才。

三、可行性分析

在我院設(shè)置微電子技術(shù)與器件專業(yè)具有非常好的條件并且可行，其理由主要有以下幾個方面：

1.我院在中專學(xué)校升高職院校之前，南校區(qū)就有這個專業(yè)。因此，在師資力量、教學(xué)資源、實訓(xùn)資源、招生分配等方面都有一定的基礎(chǔ)和經(jīng)驗，設(shè)置微電子技術(shù)與器件專業(yè)可以說是駕輕就熟。

2.該專業(yè)的設(shè)置符合國家產(chǎn)業(yè)政策，契合北京“十一五”電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃，因此，獲得上級單位批準的幾率大。

3.在北京“十一五”電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃中，7個重點發(fā)展領(lǐng)域，集成電路產(chǎn)業(yè)排第一，半導(dǎo)體照明材料產(chǎn)業(yè)排第六，因此，設(shè)置該專業(yè)可獲得國家和北京市資金的大力支持。

4.分配就業(yè)前景良好，正如市場需求分析中所提到的，集成電路產(chǎn)業(yè)在整個電子信息產(chǎn)業(yè)已經(jīng)占到了四分之一左右，而且，今后將跨越式發(fā)展，必然需要大量的應(yīng)用型技術(shù)人才，因此，該專業(yè)畢業(yè)學(xué)生的就業(yè)前景良好。

四、困難及解決途徑

在我院設(shè)置微電子技術(shù)與器件專業(yè)也會遇到一些困難，仔細分析有以下幾個方面：

1.生源問題。微電子技術(shù)與器件這一名稱，屬于比較新的科技名詞，一般人在日常生活中很少接觸，理解起來有一定困難，不知道這一專業(yè)到底學(xué)什么，畢業(yè)后干什么。因此，會出現(xiàn)專業(yè)招生困難，或招不到相對高素質(zhì)的學(xué)生。

解決辦法：一是改專業(yè)名稱，起一個即通俗易懂，又能代表專業(yè)含義的名稱，這有一定困難。二是加強宣傳，在招生時，宣傳材料、現(xiàn)場解說、視頻資料等全方位進行，使考生了解北京市的產(chǎn)業(yè)政策和就業(yè)前景，提高對該專業(yè)的認知度。

2.實訓(xùn)問題。微電子技術(shù)與器件專業(yè)的實訓(xùn)環(huán)節(jié)比較困難，我們知道現(xiàn)在強調(diào)實訓(xùn)模擬真實場景，而集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的工序非常多，每一道工序的設(shè)備儀器都非常昂貴，動則幾百萬，建立校內(nèi)實訓(xùn)基地，場地和資金都是問題。

解決辦法：一是計算機模擬，現(xiàn)在多媒體教學(xué)設(shè)備完善，各種模擬軟件很多，通過購買和教師制作等方式來模擬實際工藝，替代昂貴的真實設(shè)備儀表。二是下廠實訓(xùn)，校企合作辦學(xué)是學(xué)院發(fā)展的方向，我院有良好的基礎(chǔ)和得天獨厚的條件，北京分布著眾多的集成電路設(shè)計、生產(chǎn)、測試企業(yè)可供我們選擇實習(xí)參觀，而且，我院已經(jīng)和許多這方面的企業(yè)簽有校外實訓(xùn)基地協(xié)議，如中國電子集團微電子所，北京飛宇微電子科技有限公司，中國科學(xué)院微電子所，燕東微電子有限公司等。我院應(yīng)充分利用這一優(yōu)勢，解決微電子技術(shù)與器件專業(yè)的實訓(xùn)問題。

參考文獻: