導(dǎo)言：作為寫作愛(ài)好者，不可錯(cuò)過(guò)為您精心挑選的10篇半導(dǎo)體材料發(fā)展前景，它們將為您的寫作提供全新的視角，我們衷心期待您的閱讀，并希望這些內(nèi)容能為您提供靈感和參考。

篇1

1 對(duì)現(xiàn)階段我國(guó)電子科學(xué)技術(shù)發(fā)展進(jìn)程向前推進(jìn)的過(guò)程中所使用到的半導(dǎo)體材料進(jìn)行分析

1.1 元素類半導(dǎo)體材料在我國(guó)電子科學(xué)技術(shù)發(fā)展初級(jí)階段得到了較為廣泛的應(yīng)用

作為出現(xiàn)最早并且得到了最為廣泛的應(yīng)用的第一代半導(dǎo)體材料，鍺、硅是其中典型性相對(duì)來(lái)說(shuō)比較強(qiáng)的元素半導(dǎo)體材料，第一代半導(dǎo)體材料硅因?yàn)榇鎯?chǔ)量相對(duì)來(lái)說(shuō)比較大、工藝也相對(duì)來(lái)說(shuō)比較成熟，成為了現(xiàn)階段我國(guó)所生產(chǎn)出來(lái)的半導(dǎo)體設(shè)備中得到了最為廣泛的應(yīng)用，鍺元素是發(fā)現(xiàn)時(shí)間最早的一種半導(dǎo)體材料。在我國(guó)電子科學(xué)技術(shù)發(fā)展初級(jí)階段因其本身所具有的活潑，容易和半導(dǎo)體設(shè)備中所需要使用到的介電材料發(fā)生氧化還原反應(yīng)從而形成GEO，使半導(dǎo)體設(shè)備的性能受到一定程度的影響，致使人們?cè)谑褂冒雽?dǎo)體設(shè)備的過(guò)程中出現(xiàn)各個(gè)層面相關(guān)問(wèn)題的幾率是相對(duì)來(lái)說(shuō)比較高的，并且鍺這種元素的產(chǎn)量相對(duì)于硅元素來(lái)說(shuō)是比較少的，因此在我國(guó)電子科學(xué)技術(shù)發(fā)展初級(jí)階段對(duì)鍺這種半導(dǎo)體材料的研究力度是相對(duì)來(lái)說(shuō)比較小的。但是在上個(gè)世紀(jì)八十年代的時(shí)候，鍺這種半導(dǎo)體材料在紅外光學(xué)領(lǐng)域得到了較為廣泛的應(yīng)用，并且發(fā)展速度是相對(duì)來(lái)說(shuō)比較快的，在此之后，GE這種半導(dǎo)體材料在太陽(yáng)能電池這個(gè)領(lǐng)域中也得到了較為廣泛的應(yīng)用。

1.2 對(duì)現(xiàn)階段我國(guó)電子科學(xué)技術(shù)發(fā)展進(jìn)程向前推進(jìn)的過(guò)程中所使用到大化合物半導(dǎo)體材料進(jìn)行分析

現(xiàn)階段我國(guó)電子科學(xué)技術(shù)發(fā)展進(jìn)程向前推進(jìn)的過(guò)程中所使用到的化合物半導(dǎo)體一般情況下是可以分為第III和第V族化合物（例如在那個(gè)時(shí)期半導(dǎo)體設(shè)備中所經(jīng)常使用到的半導(dǎo)體材料GaAs Gap以及石墨烯等等），第II和第VI族化合物（例如在半導(dǎo)體設(shè)備中所經(jīng)常使用到的硫化鎘以及硫化鋅等等）、經(jīng)過(guò)了一定程度的氧化反應(yīng)后的化合物（Mn、Cu等相關(guān)元素經(jīng)過(guò)了一定程度的氧化反應(yīng)后形成的化合物）。在上文中所敘述的一些材料一般情況下都是屬于固態(tài)晶體半導(dǎo)體材料所包含的范疇之內(nèi)的，現(xiàn)階段我國(guó)電子科學(xué)技術(shù)發(fā)展進(jìn)程向前推進(jìn)的過(guò)程中研發(fā)出來(lái)的有機(jī)半導(dǎo)體與玻璃半導(dǎo)體等非晶體狀態(tài)的材料也逐漸成為了半導(dǎo)體設(shè)備中所經(jīng)常使用到的一種材料。

2 對(duì)現(xiàn)階段我國(guó)電子科學(xué)技術(shù)發(fā)展進(jìn)程向前推進(jìn)的過(guò)程中半導(dǎo)體材料使用階段發(fā)生變化的進(jìn)行分析

在現(xiàn)階段我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備中所經(jīng)常使用到的半導(dǎo)體材料硅遵循著摩爾定律所提出的要求發(fā)展進(jìn)程不斷的向前推進(jìn)，現(xiàn)階段我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備中所使用到的硅的集成度已經(jīng)逐漸接近了極限范圍，現(xiàn)階段我國(guó)所研發(fā)出來(lái)的晶體管逐步向著10nm甚至7nm的特征尺寸逼近。但是因?yàn)楣璨牧媳旧碓诮麕挾取⒖昭ㄟw移率等各個(gè)方面存在一定程度的問(wèn)題，難以滿足現(xiàn)階段我國(guó)科學(xué)技術(shù)發(fā)展進(jìn)程向前推進(jìn)的過(guò)程中對(duì)半導(dǎo)體材料所提出的要求，在10nm這個(gè)節(jié)點(diǎn)范圍之中，GE/SIGE材料或許是可以代替硅材料成為半導(dǎo)體設(shè)備所需要使用到的主要材料的。在2015年的時(shí)候，IBM實(shí)驗(yàn)室在和桑心以及紐約州立大學(xué)納米理工學(xué)院進(jìn)行一定程度的相互合作之后推出了實(shí)際范圍內(nèi)首個(gè)7nm原型芯片，這一款芯片中所使用到的材料都是被人們稱作黑科技的“鍺硅”材料，取代了原本高純度硅元素在半導(dǎo)體材料中所占據(jù)的主導(dǎo)地位。

3 對(duì)現(xiàn)階段新興半導(dǎo)體材料的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行分析

因?yàn)樵诮?jīng)濟(jì)發(fā)展進(jìn)程向前推進(jìn)的背景之下，人們對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備的性能所提出的要求也在不斷的提升，人們對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備中所需要使用到的半導(dǎo)體材料在集成度、能耗水平以及成本等各個(gè)方面提出的要求到達(dá)了新的高度?，F(xiàn)階段，第三代半導(dǎo)體材料已經(jīng)之間的成為了半導(dǎo)體設(shè)備中使用到的主要材料之一，作為在第三代半導(dǎo)體材料中典型性相對(duì)來(lái)說(shuō)比較強(qiáng)的材料：GaN、SIC以及zno等各種類型的材料在現(xiàn)階段發(fā)展進(jìn)程向前推進(jìn)的速度都是相對(duì)來(lái)說(shuō)比較快的。

4 對(duì)現(xiàn)階段碳化硅這種材料的發(fā)展和在各個(gè)領(lǐng)域中得到的應(yīng)用進(jìn)行分析

碳化硅是一種典型性相對(duì)來(lái)說(shuō)比較高的在碳基化合物所包含的范圍之內(nèi)的半導(dǎo)體材料，其本身所具有的導(dǎo)熱性能相對(duì)于其它類型的半導(dǎo)體材料來(lái)說(shuō)穩(wěn)定性是相對(duì)來(lái)說(shuō)比較強(qiáng)的，所以在某些對(duì)散熱性要求相對(duì)來(lái)說(shuō)比較高的領(lǐng)域中得到了較為廣泛的應(yīng)用，現(xiàn)階段碳化硅這種半導(dǎo)體材料在太陽(yáng)能電池、發(fā)電傳輸以及衛(wèi)星通信等各個(gè)領(lǐng)域中得到了比較深入的應(yīng)用，在此之外，碳化硅這種半導(dǎo)體材料在軍工行業(yè)中所得到的應(yīng)用也是相對(duì)來(lái)說(shuō)比較深入的，在某些國(guó)防建設(shè)相關(guān)工作進(jìn)行的過(guò)程中都使用到的了大量的碳化硅。因?yàn)楹吞蓟柽@種材料相關(guān)的產(chǎn)業(yè)的數(shù)量是相對(duì)來(lái)說(shuō)比較少的，現(xiàn)階段我國(guó)碳化硅行業(yè)發(fā)展進(jìn)程向前推進(jìn)的速度是相對(duì)來(lái)說(shuō)比較緩慢的，但是現(xiàn)階段我國(guó)經(jīng)濟(jì)發(fā)展進(jìn)程向前推進(jìn)的過(guò)程中所重視的向著環(huán)境保護(hù)型的方向轉(zhuǎn)變，碳化硅材料能夠滿足這一要求，所以我國(guó)政府有關(guān)部門對(duì)碳化硅這一種創(chuàng)新型的半導(dǎo)體材料越發(fā)的重視了，隨著半導(dǎo)體行業(yè)整體發(fā)展進(jìn)程不斷的向前推進(jìn)，在不久的將來(lái)我國(guó)碳化硅行業(yè)的的發(fā)展一定會(huì)取得相對(duì)來(lái)說(shuō)比較顯著的成果的。

5 對(duì)現(xiàn)階段我國(guó)所研發(fā)出來(lái)的創(chuàng)新型半導(dǎo)體材料氧化鋅的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行分析

作為一種創(chuàng)新型的半導(dǎo)體材料，氧化鋅在光學(xué)材料以及傳感器等各個(gè)領(lǐng)域中得到了較為廣泛的應(yīng)用，因?yàn)檫@種創(chuàng)新型的半導(dǎo)體材料具有反應(yīng)速度相對(duì)來(lái)說(shuō)比較快、集成度相對(duì)來(lái)說(shuō)比較高以及靈敏程度相對(duì)來(lái)說(shuō)比較高等一系列的特點(diǎn)，和當(dāng)前我國(guó)傳感器行業(yè)發(fā)展進(jìn)程向前推進(jìn)的過(guò)程中所遵循的微型化宗旨相適應(yīng)，因?yàn)檠趸\這種創(chuàng)新型的半導(dǎo)體材料的原材料豐富程度是相對(duì)來(lái)說(shuō)比較高的、環(huán)保性相對(duì)來(lái)說(shuō)比較強(qiáng)、價(jià)格相對(duì)來(lái)說(shuō)比較低，所以氧化鋅這種創(chuàng)新型的半導(dǎo)體材料在未來(lái)的發(fā)展前景是相對(duì)來(lái)說(shuō)比較廣闊的。

6 結(jié)束語(yǔ)

現(xiàn)階段我國(guó)經(jīng)濟(jì)發(fā)展進(jìn)程向前推進(jìn)的速度是相對(duì)來(lái)說(shuō)比較穩(wěn)定的，并且當(dāng)今我國(guó)所處的時(shí)代是一個(gè)知識(shí)經(jīng)濟(jì)的時(shí)代，人們對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備中所需要使用到的半導(dǎo)體材料提出了更高的要求，針對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備中所需要使用到的半導(dǎo)體材料展開的相關(guān)研究工作的力度也得到了一定程度的提升，摩爾定律在現(xiàn)階段電子科學(xué)技術(shù)發(fā)展進(jìn)程向前推進(jìn)的過(guò)程中仍然是適用的，隨著人們針對(duì)半導(dǎo)體材料展開的研究相關(guān)工作得到了一定的成果，使用創(chuàng)新型半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體設(shè)備的性能得到了大幅度的提升，相信在不久的將來(lái)，半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的變化是相對(duì)來(lái)說(shuō)比較大的。

參考文獻(xiàn)

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[2]王占國(guó).半導(dǎo)體材料發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢(shì)[J].世界科技研究與發(fā)展，

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[3]楊吉輝.光伏半導(dǎo)體材料和Cu基存儲(chǔ)材料的第一性原理研究[D].復(fù)旦大學(xué)，2013.

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篇2

關(guān)鍵詞：

光電信息；功能材料；研究進(jìn)展

隨著我國(guó)科學(xué)技術(shù)的日新月異，有力的推動(dòng)著社會(huì)的發(fā)展與進(jìn)步。光電信息功能材料作為新材料，能夠得到充分的研發(fā)，并廣泛應(yīng)用于社會(huì)眾多行業(yè)領(lǐng)域中。在光電子時(shí)代背景下，光電信息功能材料具有穩(wěn)定性的良好性能，在社會(huì)眾多行業(yè)領(lǐng)域中的應(yīng)用，有著良好的發(fā)展前景。目前，我國(guó)關(guān)于光電信息功能材料的研究進(jìn)展主要表現(xiàn)在光折變材料、半導(dǎo)體材料、納米材料等方面，能夠在一定程度上推動(dòng)我國(guó)電子時(shí)代的發(fā)展進(jìn)程。1光電信息功能材料的概述在信息時(shí)代背景下，材料領(lǐng)域的研究更為廣泛，走在國(guó)家科研的前沿之路，為現(xiàn)代化科學(xué)奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)條件。光電信息功能材料的研究，主要以量子論為基礎(chǔ)，相關(guān)人員對(duì)電子物理運(yùn)動(dòng)規(guī)律進(jìn)行一系列探究，偶助于推動(dòng)光電信息技術(shù)的研究和開發(fā)?；诖?，光電信息功能材料得以開發(fā)和應(yīng)用，主要包括光折變材料、半導(dǎo)體材料和納米材料，其信息存儲(chǔ)容量更大，且信息傳輸和處理速度更快，適應(yīng)我國(guó)社會(huì)發(fā)展和人類進(jìn)步的發(fā)展趨勢(shì)，同時(shí)能夠在一定程度上促進(jìn)信息技術(shù)的發(fā)展[1]。

1光電信息功能材料的制備方式

目前，光電信息功能材料受功能、尺寸等因素的影響，使其制備方式可能存在差異性，因而能夠適應(yīng)于不同社會(huì)領(lǐng)域的實(shí)際需求。但是，就光電信息功能材料制備方式而言，主要表現(xiàn)在微波反應(yīng)燒結(jié)、濺射法、PCVD等。通過(guò)合理方式對(duì)光電信息功能材料的制備，可以增強(qiáng)材料的性能和充分發(fā)揮其積極作用，有助于推動(dòng)我國(guó)光電信息技術(shù)的快速發(fā)展[2]。

2光電信息功能材料的研究進(jìn)展

2.1光電信息功能材料之光折變材料

光折變材料是光電信息功能材料之一，主要是在光的照射下，發(fā)生電荷轉(zhuǎn)移，形成空間電場(chǎng)，最終在電光效應(yīng)的影響下而產(chǎn)生的光電材料。光折變材料在人類社會(huì)眾多領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用?，F(xiàn)階段，我國(guó)關(guān)于光折變材料的研究主要表現(xiàn)在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、測(cè)量、光放大、圖像處理等方面。對(duì)于光折變材料而言，主要包括無(wú)機(jī)光折變材料和有機(jī)光折變材料兩種。首先，無(wú)機(jī)光折變材料主要有三類，分別為：以LiNbO3、BaTiO3為主的鐵電晶體；以Bi12GeO20為主的非鐵電體；以GaAs、CdTe、CdSe為主的化合物半導(dǎo)體。其次，有機(jī)光折變材料中，聚合物的應(yīng)用更具優(yōu)勢(shì)，在社會(huì)眾多領(lǐng)域中有著廣泛應(yīng)用，其發(fā)展空間較為廣闊，能夠?yàn)橄嚓P(guān)技術(shù)人員創(chuàng)造良好的條件?？傊?，隨著光折變材料的研究進(jìn)程加快，相關(guān)科技人員能夠通過(guò)聚乙烯咔唑?qū)D像進(jìn)行識(shí)別，為后期三維體全息圖存儲(chǔ)奠定良好條件，同時(shí)促進(jìn)光電信息存儲(chǔ)的廣泛應(yīng)用。

2.2光電信息功能材料之半導(dǎo)體材料

半導(dǎo)體材料是導(dǎo)體材料和絕緣體材料之間的一種材料，能夠?qū)崿F(xiàn)電能和光能之間的相互轉(zhuǎn)換。新時(shí)期，我國(guó)對(duì)半導(dǎo)體材料的研究相對(duì)較多，且該材料的應(yīng)用范圍較廣。其研究進(jìn)展主要表現(xiàn)在以下方面：首先，硅微電子技術(shù)材料。該材料是制成半導(dǎo)體集成電路、光伏太陽(yáng)能電池的重要材料，屬于我國(guó)新能源產(chǎn)業(yè)。隨著硅材料技術(shù)的不斷發(fā)展和應(yīng)用，促進(jìn)硅材料產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。其次，對(duì)量子級(jí)聯(lián)激光器材料的研究，該材料主要在光通信、移動(dòng)通信等領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用，能夠在一定程度上推動(dòng)著人類工業(yè)化的發(fā)展進(jìn)程。最后，對(duì)光子帶隙材料的研究相對(duì)較多[3]。

2.3光電信息功能材料之納米材料

納米技術(shù)近年來(lái)比較熱門的研究話題，而納米光電材料是光電信息功能材料的重要組成部分。光能與電能、化學(xué)能等能源之間轉(zhuǎn)換過(guò)程中，可以形成全新的納米材料，在社會(huì)眾多領(lǐng)域中的應(yīng)用，具有一定的優(yōu)勢(shì)，如發(fā)展前景良好、性能優(yōu)良等，尤其在光的通信、存儲(chǔ)中有著更為深入的應(yīng)用?，F(xiàn)階段，我國(guó)對(duì)納米光電材料的研究相對(duì)較多，并取得良好的進(jìn)展。在納米電子器件的發(fā)展條件下，納米光電子學(xué)得以快速發(fā)展，其研究領(lǐng)域主要表現(xiàn)在：一是關(guān)于納米粉末在光電探測(cè)器中應(yīng)用的系列研究，二者能夠相互作用，且納米粉末可以改善SOI的不良性能；二是對(duì)一維納米材料應(yīng)用的相關(guān)研究；三是對(duì)納米硅薄膜應(yīng)用的研究，其獨(dú)特性質(zhì)，能夠充分發(fā)揮量子尺寸效應(yīng)，有助于科技人員對(duì)納米光電材料的深入研究。

3結(jié)論

隨著社會(huì)的發(fā)展與進(jìn)步，科學(xué)技術(shù)日新月異，造福于人類。近年來(lái)，光電信息功能材料的研究有較大進(jìn)展，取得良好的成果，能夠以光電為信息載體，促進(jìn)人們對(duì)量子物理的深入研究。由于光電信息功能材料能夠在人類社會(huì)生活眾多領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用和充分發(fā)揮其積極作用。所以，相關(guān)人員有必要加強(qiáng)對(duì)光電信息功能材料研究進(jìn)展問(wèn)題的研究，能夠?yàn)橄嚓P(guān)科技人員提供有力的參考依據(jù)，有助于推動(dòng)光電信息功能材料的研發(fā)進(jìn)程。

參考文獻(xiàn)：

[1]王智瑋，劉麗媛，陳潤(rùn)鋒，等.基于芳香性聚酰亞胺的光電功能材料及器件研究進(jìn)展[J].科學(xué)通報(bào)，2013（26）：2690-2706.

篇3

2、受益半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模的擴(kuò)張；

3、強(qiáng)勢(shì)研發(fā)團(tuán)隊(duì)掌控核心技術(shù)。

上海新陽(yáng)半導(dǎo)體材料股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“上海新陽(yáng)”，代碼300236）專業(yè)從事半導(dǎo)體行業(yè)所需電子化學(xué)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售服務(wù)，并致力于為客戶提供化學(xué)材料、配套設(shè)備、應(yīng)用工藝、現(xiàn)場(chǎng)服務(wù)一體化的整體解決方案。產(chǎn)品主要包括半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域所需的引線腳表面處理電子化學(xué)品，晶圓鍍銅、清洗電子化學(xué)品及與它們配套的設(shè)備。

財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示，2008年-2010年，上海新陽(yáng)凈利潤(rùn)分別為1956.73萬(wàn)元、2887.79萬(wàn)元、3337.22萬(wàn)元，體現(xiàn)了良好的成長(zhǎng)性。此次公司擬公開發(fā)行2150萬(wàn)股，募集資金1.75億元用于原有產(chǎn)品產(chǎn)能的擴(kuò)張及技術(shù)研發(fā)中心的建設(shè)。項(xiàng)目實(shí)施后，預(yù)計(jì)將年增半導(dǎo)體專用化學(xué)品產(chǎn)能3600萬(wàn)噸，發(fā)展前景廣闊。

行業(yè)佼佼者客戶覆蓋廣泛

截至2010年年底，上海新陽(yáng)已經(jīng)具備了3000噸/年的電子化學(xué)品產(chǎn)能，下游擁有超過(guò)120家的客戶，遍布華東、華南、東北、西北等全國(guó)各地。同時(shí)，公司還通過(guò)了多家國(guó)內(nèi)以及國(guó)際知名的半導(dǎo)體封裝企業(yè)嚴(yán)格的供應(yīng)商資格認(rèn)證，知名企業(yè)如長(zhǎng)電科技、通富微電等都是上海新陽(yáng)的固定客戶群體，在新產(chǎn)品的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方面都建立了長(zhǎng)期的合作伙伴關(guān)系。

以上僅僅是在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的客戶，在芯片制造領(lǐng)域，公司也同如中芯國(guó)際、江陰長(zhǎng)電等高端芯片制造企業(yè)建立了合作關(guān)系。

上海新陽(yáng)是中國(guó)集成電路封測(cè)產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟理事單位，國(guó)家02重大科技專項(xiàng)科研任務(wù)的承擔(dān)單位之一，在國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體材料業(yè)內(nèi)具有突出的行業(yè)地位。行業(yè)佼佼者加上與各領(lǐng)域的知名企業(yè)的長(zhǎng)期合作將極大得保障公司未來(lái)穩(wěn)定的收入來(lái)源。

受益半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模擴(kuò)張

半導(dǎo)體行業(yè)作為電子信息高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，未來(lái)仍將會(huì)有較快的發(fā)展，而對(duì)電子化學(xué)品的需求也將隨著半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模的擴(kuò)大而增加。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)的預(yù)測(cè)，2013年引線腳表面處理所需的電子化學(xué)品的市場(chǎng)規(guī)?？蛇_(dá)10億元，而據(jù)Yole Development2009年10月的預(yù)測(cè)，2015年晶圓鍍銅、清洗電子化學(xué)品市場(chǎng)規(guī)?？蛇_(dá)10億美元。

未來(lái)，在國(guó)家相關(guān)產(chǎn)業(yè)政策的支持下，利用本土競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，公司產(chǎn)品對(duì)進(jìn)口產(chǎn)品的替代以及相關(guān)產(chǎn)品技術(shù)儲(chǔ)備的市場(chǎng)推廣進(jìn)程的加速，上海新陽(yáng)的市場(chǎng)地位將進(jìn)一步突出、穩(wěn)固。在此背景下，上海新陽(yáng)未來(lái)將極大得受益于行業(yè)規(guī)模的擴(kuò)大。

強(qiáng)勢(shì)研發(fā)團(tuán)隊(duì)掌控核心技術(shù)

篇4

隨著我國(guó)經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，我國(guó)的電力企業(yè)也取得了較大的發(fā)展，這種情況下電力技術(shù)的發(fā)展，不僅能夠優(yōu)化供電結(jié)構(gòu)和形式，還能帶動(dòng)企業(yè)的更好更快的發(fā)展，下文中筆者將從幾個(gè)方面，就我國(guó)電工新技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀進(jìn)行分析。

1超導(dǎo)體和半導(dǎo)體材料在電力工業(yè)中被廣泛的應(yīng)用。下超導(dǎo)體和半導(dǎo)體材料的應(yīng)用可以分為以下幾個(gè)階段，下文中筆者將進(jìn)行詳細(xì)論述。a.20世紀(jì)60年代初，實(shí)用超導(dǎo)體被研發(fā)出來(lái)并且應(yīng)用于電工領(lǐng)域，至此超導(dǎo)體材料進(jìn)入了電工生產(chǎn)，以其應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)逐漸的取代了其他材料。尤其是20世紀(jì)80年代中后期，高臨界溫度的超導(dǎo)體的發(fā)現(xiàn)，更奠定了超導(dǎo)體材料在電工生產(chǎn)中的地位。b.半導(dǎo)體的發(fā)現(xiàn)和應(yīng)用給電力設(shè)備和儀器提供了新型的電子元件，使得電力設(shè)備在不斷的發(fā)展過(guò)程中，向著自動(dòng)化前進(jìn)。

2計(jì)算機(jī)和微電子技術(shù)在電力工業(yè)中被廣泛的應(yīng)用。下文中筆者將對(duì)該問(wèn)題進(jìn)行詳細(xì)的分析：a.電磁場(chǎng)的數(shù)值計(jì)算對(duì)于電力設(shè)備的發(fā)展有著非常重要的意義，也是近些年來(lái)有關(guān)單位和部門的研究重點(diǎn)，而計(jì)算機(jī)技術(shù)的應(yīng)用使得這一計(jì)算中的復(fù)雜分析和精密實(shí)驗(yàn)問(wèn)題都得到了解決，大大的推動(dòng)了電磁場(chǎng)的數(shù)值計(jì)算的發(fā)展。b.數(shù)控系統(tǒng)的發(fā)展同樣使得電機(jī)控制向著更加自動(dòng)化和全面化的方向發(fā)展，使得電機(jī)系統(tǒng)的整體使用功能得到了很大的提升。c.電力電子技術(shù)作為能源擴(kuò)展的一個(gè)重要的技術(shù)，對(duì)于提高用電效率和能源的使用率都有著非常重要的意義。

對(duì)電工新技術(shù)未來(lái)的展望

上文中我們分析了電工新技術(shù)的發(fā)展的必要性和基本現(xiàn)狀，下文中筆者將結(jié)合自己的工作經(jīng)驗(yàn)，分析未來(lái)我國(guó)的電工新技術(shù)的發(fā)展的趨勢(shì)和方向，并將其同新能源的開發(fā)和利用結(jié)合起來(lái)進(jìn)行探討。

1太陽(yáng)能發(fā)電技術(shù)。太陽(yáng)能作為目前最受矚目的新能源，其發(fā)電技術(shù)對(duì)于日后的新能源的發(fā)展和使用有著非常重要的意義。因?yàn)樘?yáng)能的獲取的便利以及利用形式的多樣化，使得其在眾多的新能源中成為了開發(fā)重點(diǎn)。而太陽(yáng)能的使用也將很大程度上改變現(xiàn)有的能源利用方式，所以太陽(yáng)能發(fā)電技術(shù)的未來(lái)發(fā)展前景是十分廣闊的。

2風(fēng)能發(fā)電技術(shù)。風(fēng)能作為新能源的一種，其最主要的應(yīng)用特點(diǎn)就是其具有較好的清潔性和可再生性，因此也被廣泛的應(yīng)用于新能源的開發(fā)領(lǐng)域。就目前風(fēng)能的發(fā)展速度來(lái)看，已經(jīng)超越了太陽(yáng)能，成為了世界上發(fā)展最快的可再生能源，我國(guó)對(duì)于風(fēng)能的發(fā)展也給予了多種政策上的支持，所以風(fēng)能發(fā)電將會(huì)取得更好的發(fā)展成就。

3核能發(fā)電技術(shù)。受控核聚變的發(fā)展以及利用可以提供取之不竭的清潔能源，從根源上解決經(jīng)濟(jì)與能源和環(huán)境的協(xié)調(diào)發(fā)展問(wèn)題。核聚變具有極為重要的科學(xué)現(xiàn)實(shí)性，它依靠核工業(yè)技術(shù)以及電工新技術(shù)的結(jié)合，為能源的利用提供更加便利的方式，核聚變電站的建立還可以促進(jìn)新興電工產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

4水力發(fā)電技術(shù)。我國(guó)的水力資源比較豐富，在水力資源集中的中南以及西南地區(qū)已經(jīng)建成了多所發(fā)電站。對(duì)于水力資源未來(lái)的發(fā)展以及開發(fā)規(guī)劃已經(jīng)進(jìn)行了較為詳細(xì)的策劃和前期的準(zhǔn)備工作。重點(diǎn)對(duì)金沙江以及黃河上游和湘西等水電基地進(jìn)行開發(fā)，這樣就可以在最大程度上對(duì)可開發(fā)的資源進(jìn)行利用，促進(jìn)水力發(fā)電技術(shù)的發(fā)展。

篇5

關(guān)鍵詞：薄膜太陽(yáng)電池；光伏；分類；概況

1.引言

目前，市場(chǎng)上的太陽(yáng)能電池以單晶硅、多晶硅為主，但其工藝復(fù)雜，成本^高，而成本一直是光伏產(chǎn)業(yè)能否大范圍普及的關(guān)鍵。薄膜太陽(yáng)能電池能夠大幅度降低電池成本，近年來(lái)得到了較快的發(fā)展。

2.薄膜電池分類以及發(fā)展

薄膜太陽(yáng)能電池具有多種分類[1]，按照吸收層材料，可分為硅系、多元化合物和有機(jī)薄膜太陽(yáng)電池。硅系薄膜主要包括非晶硅薄膜，多晶硅薄膜；多元化合物薄膜主要包括III-VI族二元化合物，如碲化鎘、硫化鎘薄膜；III-V族二元化合物，如砷化鎵、磷化銦薄膜太陽(yáng)電池；I-III-VI2族三元化合物，如銅銦硒、銅銦硫薄膜；有機(jī)薄膜主要包括染料敏化劑薄膜和聚合物薄膜。上述的電池的結(jié)構(gòu)以及優(yōu)點(diǎn)各不相同，分別進(jìn)行介紹。

2.1硅系薄膜太陽(yáng)電池

硅薄膜太陽(yáng)能電池按照材料可細(xì)分為非晶硅、多晶硅和微晶硅薄膜太陽(yáng)電池；其中以多晶硅薄膜太陽(yáng)電池的應(yīng)用最為廣泛。

2.1.1非晶硅薄膜太陽(yáng)電池

1976年，非晶硅薄膜太陽(yáng)電池由RAC實(shí)驗(yàn)室的Carlson等研制成功，也是最早實(shí)現(xiàn)商業(yè)化[2]。隨后，其得到了較快的發(fā)展。鐘迪生等采用等離子體化學(xué)氣相沉積法特別是RF輝光放電法制作高質(zhì)量的非晶硅薄膜；United Solar Ovonic完成了面積929cm2的a-Si薄膜太陽(yáng)能電池，轉(zhuǎn)換效率達(dá)9.8%，利用減反射層可使小面積的電池效率達(dá)到12%；日本的Ichikawa等使用柔性樹脂薄膜襯底，利用roll-to-roll CVD在50cm×1km的樹脂基底上制備a-Si/a-SiGe太陽(yáng)能電池，效率達(dá)10.1%；日本中央研究院制的的非晶硅電池的轉(zhuǎn)化效率已經(jīng)達(dá)到13.2%。

國(guó)內(nèi)，中科院半導(dǎo)體所研制的玻璃襯底非晶硅單結(jié)太陽(yáng)能電池，效率達(dá)11.2%；南開大學(xué)薛俊明等采用PECVD技術(shù)制備非晶硅頂電池，采用甚高頻PECVD技術(shù)制備出微晶硅底電池，研制出效率達(dá)9.83%的薄膜非晶硅/微晶硅疊層太陽(yáng)能電池；美國(guó)國(guó)家再生能源實(shí)驗(yàn)室利用堆疊技術(shù)，制得三結(jié)疊層太陽(yáng)能薄膜，轉(zhuǎn)換率達(dá)到12%。但是非晶硅的帶隙為1.7eV，對(duì)應(yīng)吸收波長(zhǎng)為730nm，與太陽(yáng)光譜長(zhǎng)波區(qū)域不匹配，理論上限制了其轉(zhuǎn)換效率的提高。此外，隨光照時(shí)間的延長(zhǎng)，轉(zhuǎn)化效率會(huì)明顯衰減。目前，穩(wěn)定的單結(jié)非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率最高達(dá)9.5%，而量產(chǎn)的效率只維持在8%左右。

2.1.2多晶硅薄膜電池

多晶硅薄膜太陽(yáng)電池以生長(zhǎng)在襯底上具有納米尺寸和具有不同晶面的小晶粒構(gòu)成的多晶硅薄膜作為吸收層，通?？梢圆捎没瘜W(xué)氣相沉積法、液相外延法、金屬誘導(dǎo)晶體法、非晶硅薄膜固相晶化法或等離子噴涂法形成。Kaneka公司設(shè)計(jì)的STAR結(jié)構(gòu)的多晶硅薄膜電池，效率已經(jīng)達(dá)到了10.7%，厚度小于5um，并且無(wú)光致衰減現(xiàn)象；另一種SIO結(jié)構(gòu)的多晶硅薄膜電池100cm2，獲得了14.22%的效率；H.orikawa等制備出了效率高達(dá)16%的多晶硅薄膜電池；日本三菱公司用該法制備電池，效率達(dá)到16.42%。德國(guó)費(fèi)來(lái)堡太陽(yáng)能研究所采用區(qū)域在再結(jié)晶技術(shù)在Si襯底上制的多晶硅電池轉(zhuǎn)換效率為19%。理論計(jì)算表明，多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池的最高效率可達(dá)28%。與單晶硅電池相比，多晶硅薄膜電池厚度約為前者，大大的降低了生產(chǎn)成本，且在長(zhǎng)波段具有高光敏性，吸光好，穩(wěn)定性高，無(wú)光致衰退效應(yīng)，制作工藝簡(jiǎn)單，具有廣闊的發(fā)展前景。

2.2多元化合物薄膜太陽(yáng)電池

2.2.1II-VI族薄膜電池

在II-VI族化合物半導(dǎo)體材料主要包括碲化鎘、硫化鎘，用該半導(dǎo)體制作的太陽(yáng)能電池有很高的理論轉(zhuǎn)換效率。CdTe薄膜電池通常以CdS/CdTe異質(zhì)結(jié)作為吸收層，填充因子高達(dá)FF=0.75，并且其容易沉積得到大面積的薄膜，沉積速率也較高，膜的厚度通常為1.5-3μm。因而CdTe薄膜電池制造成本也得以大大的降低低，應(yīng)用前景良好。它已經(jīng)成為歐美、日、韓等國(guó)研究開發(fā)的主要對(duì)象。托萊多大學(xué)的鄢炎發(fā)博士采用濺工藝制得效率為14%的碲化鎘太陽(yáng)能電池；采用近空間升華法制得效率高于15.8%的碲化鎘太陽(yáng)能電池。在國(guó)內(nèi)，四川大學(xué)太陽(yáng)能材料與器件研究所的馮良恒，制備出轉(zhuǎn)換效率高達(dá)11.6%的碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池，進(jìn)入了世界先進(jìn)行列。CdS半導(dǎo)體具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)，屬于直接帶隙半導(dǎo)體材料，帶隙寬度為2.4eV，光吸收系數(shù)較高，透光性好，主要用于薄膜太陽(yáng)電池的n型窗口材料，可以與碲化鎘、銅銀硒形成良好的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。但是，由于Cd元素對(duì)環(huán)境污染嚴(yán)重，阻礙了CdS/CdTe電池的應(yīng)用。

2.2.2I-III-VI2族化合物薄膜太陽(yáng)電池

I-III-VI族化合物半導(dǎo)體是指以具有黃銅礦、閃鋅礦晶體結(jié)構(gòu)作為吸收層的太陽(yáng)電池，通?？梢該饺爰葱纬伤脑衔锇雽?dǎo)體吸收層。I-III-VI2族化合物半導(dǎo)體的研究集中在CuInSe2、Cu（In，Ga）Se2、CuInS2等材料，上述半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度連續(xù)可調(diào)，吸收系數(shù)高的優(yōu)點(diǎn)。日本昭和石油公司創(chuàng)下了CIS系薄膜太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率的最高世界紀(jì)錄，面積為864cm2的薄膜太陽(yáng)電池轉(zhuǎn)換效率為14.3%，該公司完成了使用該太陽(yáng)能電池的日本第一個(gè)太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)，使得該電池的實(shí)用化向前邁進(jìn)了一大步。

國(guó)內(nèi)，南開大學(xué)研發(fā)的電池光電轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)達(dá)到14%，接近世界先進(jìn)水平。目前，Cu（In，Ga）Se2薄膜太陽(yáng)電池實(shí)驗(yàn)室最高轉(zhuǎn)換效率達(dá)到了20.3%（3）。黃銅礦系薄膜太陽(yáng)能電池是未來(lái)的太陽(yáng)能電池主流產(chǎn)品之一，可廣泛用于大型太陽(yáng)能電站、節(jié)能樓宇玻璃及航空航天等軍事用途，有著巨大的市場(chǎng)需求。

2.2.3砷化鎵、磷化銦薄膜太陽(yáng)電池

首次發(fā)現(xiàn)GaAs材料具有光伏效應(yīng)在1954年，至今已有50多年。在1956年，LoferkiJ.J.研究探討了制造太陽(yáng)電池的最佳材料的物性；20世紀(jì)60年代，Gobat等研制出第1摻鋅GaAs太陽(yáng)電池，轉(zhuǎn)化率僅為9%～10%；20世紀(jì)70年代，IBM公司和前蘇聯(lián)loffe技術(shù)物理所等研究單位，采用液相外延技術(shù)引入GaAlAs異質(zhì)窗口層，降低了GaAs表面的復(fù)合速率，使GaAs太陽(yáng)電池的效率達(dá)16%；不久，美國(guó)HRL等通過(guò)改了LPE技術(shù)使得電池平均效率提高到18%，并實(shí)現(xiàn)了批量生產(chǎn)；從上世紀(jì)80年代后，GaAs太陽(yáng)電池技術(shù)經(jīng)歷了從LPE到MOCVD，從同質(zhì)外延到異質(zhì)外延，從單結(jié)到多結(jié)疊層結(jié)構(gòu)的幾個(gè)發(fā)展階段，其發(fā)展速度日益加快，效率也不斷提高。目前實(shí)驗(yàn)室最高效率已達(dá)到50%，產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化率可達(dá)以上30%。

2.3有機(jī)薄膜太陽(yáng)電池

有機(jī)太陽(yáng)電池主要包括染料敏化、聚合物薄膜太陽(yáng)電池，其原理與光合作用類似，通過(guò)載有染料的半導(dǎo)體電極將光能轉(zhuǎn)換為電能。早期以載有單層染料分子的平板電極作為吸收層，轉(zhuǎn)換效率較低。1991年Gratzel教授首次使用載有染料光敏劑的多孔TiO2替代平板電極，將轉(zhuǎn)換效率提高到了 7.1%。從此，染料敏化薄膜太陽(yáng)電池得到了較快的發(fā)展。2001年澳大利亞STA公司建立了第一個(gè)DSCS工廠；2003年臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院能源研究所開發(fā)出納米晶體染料敏化薄膜太陽(yáng)電池，將光電轉(zhuǎn)換效率提高到了8%-12%；2004年日立成功研制了大尺寸染料敏化薄膜太陽(yáng)能電池，光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)9.3%；同年，Peccell Technologies公司開發(fā)出高壓（4V）的染料敏化納米晶薄膜太陽(yáng)電池，可作為下一代薄膜電池。目前，染料敏化薄膜太陽(yáng)電池實(shí)驗(yàn)室最高效率達(dá)到了11.4%。

與染料敏化薄膜太陽(yáng)電池相比，有機(jī)聚合物薄膜電池具有柔韌性好、成本低廉、容易加工等優(yōu)點(diǎn)，其研究處于剛剛起步階段，使用壽命和電池效率不能和其他成熟的電池產(chǎn)品相比。目前，有機(jī)聚合物薄膜電池實(shí)驗(yàn)室光電轉(zhuǎn)換效率為10%左右。

3.小結(jié)

綜上所述，薄膜太陽(yáng)能電池在節(jié)約能源、降低成本方面具有較大的優(yōu)勢(shì)與發(fā)展前景。但薄膜太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率還有進(jìn)一步提升的空間，通過(guò)不斷出現(xiàn)的新技術(shù)，如量子點(diǎn)、納米表面結(jié)構(gòu)、背反射技術(shù)等等，將會(huì)進(jìn)一步提升電池效率，推動(dòng)薄膜太陽(yáng)電池上一個(gè)新的臺(tái)階。

篇6

勤奮鉆研，鑄就科研里程碑

早1995年大學(xué)畢業(yè)后，胡鑒勇在家鄉(xiāng)的一所中學(xué)擔(dān)任了9年的化學(xué)教師；2004年留學(xué)于日本佐賀大學(xué)獲得工學(xué)博士學(xué)位，隨后進(jìn)入日本山形大學(xué)有機(jī)光電子研究中心，OLED研究世界權(quán)威科學(xué)家城戶淳二教授（Prof. Junji Kido）研究室進(jìn)行博士后研究，并在日本世界級(jí)科研中心-日本理化學(xué)研究所RIKEN，跟隨著名有機(jī)半導(dǎo)體材料科學(xué)家龍宮和男教授（Prof. Kazuo Takimiya）從事特別研究員工作；2015年由陜西師范大學(xué)以海外高層次人才-陜西省“百人計(jì)劃”特聘教授身份引進(jìn)到陜師大材料科學(xué)與工程學(xué)院工作。

“勤奮、刻苦、創(chuàng)新、突破”是胡鑒勇博士的特點(diǎn)，在日本求學(xué)工作期間，他參與過(guò)一項(xiàng)日本國(guó)家研發(fā)課題（高效有機(jī)電子器件研發(fā)），承擔(dān)過(guò)日本文部科學(xué)省、日本新能源和產(chǎn)業(yè)技術(shù)開發(fā)機(jī)構(gòu)（NEDO）和日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)（JST）資助的多項(xiàng)研究課題。

在有機(jī)深藍(lán)熒光材料的研究方面胡鑒勇博士貢獻(xiàn)卓著。高效率的深藍(lán)發(fā)光能最大限度地提高全彩顯示品質(zhì)或照明的顯色指數(shù)，有效降低OLED顯示器的功耗，開發(fā)性能好的藍(lán)光材料，尤其是具有高的發(fā)光效率和CIE色度坐標(biāo)Y值小于0.10的深藍(lán)光材料對(duì)于實(shí)現(xiàn)高性能的OLED器件意義重大，胡鑒勇博士設(shè)計(jì)合成了一類新的蒽類衍生物―基于雙蒽的D-A型深藍(lán)延遲熒光材料，通過(guò)對(duì)傳統(tǒng)的藍(lán)光始祖材料蒽分子進(jìn)行一系列結(jié)構(gòu)上的修飾，包括采取苯基為中心橋鏈和pi共軛阻隔基團(tuán)，在其對(duì)位上分別引入以單蒽為核的電子供體單元（D）和電子受體單元（A），形成了具有獨(dú)特的雙蒽結(jié)構(gòu)的D-A型材料分子，以該類材料為發(fā)光體，成功實(shí)現(xiàn)了滿足高清晰度電視（HDTV）藍(lán)光標(biāo)準(zhǔn)的高效率器件，對(duì)實(shí)現(xiàn)高性能OLED器件具有“里程碑”式的創(chuàng)新意義。該工作發(fā)表在材料領(lǐng)域國(guó)際頂尖期刊《先進(jìn)功能材料》上（Adv. Funct. Mater. 2014， 24， 2064），并入選SCI高被引論文（top 1%）。

在空氣穩(wěn)定的、高遷移率的雙極性有機(jī)半導(dǎo)體材料的研究方面胡鑒勇博士成績(jī)斐然。開發(fā)空氣穩(wěn)定的、高遷移率的n型和雙極性有機(jī)半導(dǎo)體材料，是實(shí)現(xiàn)高性能OFET的前提。胡鑒勇博士和團(tuán)隊(duì)成員一起合作開發(fā)了一種全新的電子受體單元―萘并二噻吩二酰亞胺（NDTI），以其為共聚電子受體中心的D-A型聚合物實(shí)現(xiàn)了空氣穩(wěn)定的，高遷移率的n型和雙極性有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，該成果發(fā)表在美國(guó)化學(xué)會(huì)上（J. Am. Chem. Soc. 2013， 135， 11445），并入選SCI高被引論文（top 1%）。以此為契機(jī)，胡鑒勇博士進(jìn)一步基于NDTI發(fā)展了新型雙極性有機(jī)小分子材料，并實(shí)現(xiàn)了空氣穩(wěn)定的、可溶液加工的、高遷移率的雙極性有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和互補(bǔ)邏輯電路（J. Mater. Chem. C， 2015， 3， 4244； Chem. Mater. 2015， 27， 6418）。

在非富勒烯受體材料的研究方面胡鑒勇博士成效顯著。近些年來(lái)，以聚合物電子給體和富勒烯電子受體材料為活性層的本體異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池取得了巨大的進(jìn)步，但由于富勒烯價(jià)格昂貴、吸收光譜和能級(jí)調(diào)制較為困難，開發(fā)高效的n型聚合物電子受體材料來(lái)替代富勒烯備受業(yè)界關(guān)注。胡鑒勇博士開發(fā)的基于NDTI的有機(jī)小分子和聚合物，作為非富勒烯受體材料，在全聚合物OPV器件中取得了較好的光電轉(zhuǎn)換效率（ACS Macro Lett. 2014， 3， 872）。

迄今為止，胡鑒勇博士以第一作者或通訊作者在Adv. Funct. Mater.； J. Am. Chem. Soc.； Chem. Commun.； Org. Lett.； J. Mater. Chem. C.； Chem. Eur. J.；和J. Org. Chem.等國(guó)際著名學(xué)術(shù)期刊上共發(fā)表SCI論文30余篇，受邀撰寫英文論著1章， 在國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議上作講演報(bào)告20余次，多次受邀在國(guó)內(nèi)著名大學(xué)和學(xué)會(huì)上做學(xué)術(shù)交流報(bào)告，申請(qǐng)日本專利多項(xiàng)，已授權(quán)2項(xiàng)。多年來(lái)作為一名有機(jī)光電子材料領(lǐng)域的科研人員，胡鑒勇博士兢兢業(yè)業(yè)、孜孜以求，以自己的實(shí)際行動(dòng)為鑄就科研力量不斷添磚加瓦。

迎接挑戰(zhàn)，提升人生新高度

“十年彈指一揮間”，十年前為了提升人生高度，豐富人生閱歷，胡鑒勇博士以34歲的“高齡”選擇自費(fèi)出國(guó)留學(xué)路，付出了常人難以想象的的艱辛和努力；十年后懷揣著拳拳赤子之心，胡鑒勇博士毅然謝絕多家日本和國(guó)內(nèi)公司的誠(chéng)意邀請(qǐng)，選擇了陜西師范大學(xué)作為自己事業(yè)發(fā)展的新平臺(tái)。

篇7

LED(Lighting Emitting Diode)即發(fā)光二極管，是一種半導(dǎo)體固體發(fā)光器件。它是利用固體半導(dǎo)體芯片作為發(fā)光材料，在半導(dǎo)體中通過(guò)載流子發(fā)生復(fù)合放出過(guò)剩的能量而引起光子發(fā)射，直接發(fā)出紅、黃、藍(lán)、綠、青、橙、紫、白色的光。

發(fā)光二極管的核心部分是由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體組成的晶片，在p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體之間有一個(gè)過(guò)渡層，稱為p-n結(jié)。在某些半導(dǎo)體材料的PN結(jié)中，注入的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合時(shí)會(huì)把多余的能量以光的形式釋放出來(lái)，從而把電能直接轉(zhuǎn)換為光能。PN結(jié)加反向電壓，少數(shù)載流子難以注入，故不發(fā)光。目前，發(fā)光半導(dǎo)體材料主要由III-V族元素組成，例如磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)，氮化鎵等等。

1 LED特點(diǎn)

LED的內(nèi)在特征決定了它是用最理想的光源去代替?zhèn)鹘y(tǒng)的光源，有著廣泛的用途。

(1)體積小。LED基本上是一塊很小的晶片被封裝在環(huán)氧樹脂里面，所以它非常的小，非常的輕。

(2)耗電量低。高節(jié)能:LED耗電非常低，一般來(lái)說(shuō)LED的工作電壓是2 V~3.6 V。工作電流是0.02 A~0.03 A。這就是說(shuō):它消耗的電不超過(guò)0.1 W。

(3)使用壽命長(zhǎng)。在恰當(dāng)?shù)碾娏骱碗妷合拢琇ED高亮度、低熱量，比HID或白熾燈更少的熱輻射，有人稱它為長(zhǎng)壽燈，意為永不熄滅的燈。

(4)環(huán)保。LED是由無(wú)毒的材料制成，不像熒光燈含水銀會(huì)造成污染，同時(shí)LED也可以回收再利用。

(5)堅(jiān)固耐用。LED是被完全的封裝在環(huán)氧樹脂里面，它比燈泡和熒光燈管都堅(jiān)固。燈體內(nèi)也沒(méi)有松動(dòng)的部分，這些特點(diǎn)使得LED可以說(shuō)是不易損壞的。同時(shí)LED可控性強(qiáng)，可以實(shí)現(xiàn)各種顏色的變化。

基于LED光源的以上優(yōu)點(diǎn)，筆者認(rèn)為應(yīng)當(dāng)推廣使用LED，以此達(dá)到節(jié)約電力資源的目標(biāo)。

2 具體應(yīng)用

2.1 用作信號(hào)燈

LED信號(hào)燈較傳統(tǒng)信號(hào)燈有著明顯的優(yōu)勢(shì):

(1)由于LED發(fā)出的光束是向前的并具有一定發(fā)散角，這樣就可以不必像白熾燈需要加裝反光碗。而且LED本身發(fā)出的是色光，可根據(jù)實(shí)際情況隨意調(diào)節(jié)設(shè)置所需顏色，達(dá)到區(qū)別辨識(shí)的不同目的，減少重復(fù)設(shè)置多色彩燈的麻煩，提高光利用率。

(2)工作壽命長(zhǎng)，為5～10年，維修保養(yǎng)費(fèi)用低。而傳統(tǒng)信號(hào)燈每年至少需要更換3~4次，維修保養(yǎng)費(fèi)用高，需要耗費(fèi)相當(dāng)?shù)娜肆途︺@研此項(xiàng)工作。

(3)功耗小，一般約僅為白熾燈光源信號(hào)燈的10%～20%，這一點(diǎn)是符合國(guó)家的相關(guān)能源政策。

(4)由于單個(gè)LED僅為整個(gè)信號(hào)燈燈盤殊的一個(gè)發(fā)光單元，只要信號(hào)燈線路板設(shè)計(jì)合理，即使個(gè)別LED燒毀，也不會(huì)影響別的LED發(fā)光單元，從而影響信號(hào)燈整體效果。

2.2 用在照明領(lǐng)域

2.2.1 耗電量少

LED單管功率0.03 W～0.06 W，采用直流驅(qū)動(dòng)，單管驅(qū)動(dòng)電壓1.5 V～3.5 V，電流15 A～18 A，反應(yīng)速度快，可高頻操作。在同樣照明效果的情況下，耗電量是白熾燈泡的1/8，熒光燈管的1/2，初步估計(jì)，如采用光效比熒光燈還要高兩倍的LED替代該礦一半的白熾燈和熒光燈，每年可節(jié)約35%的現(xiàn)用照明電量。

2.2.2 使用壽命長(zhǎng)

普通照明光源采用電子光場(chǎng)輻射發(fā)光，有燈絲發(fā)光易燒、熱沉積、光衰減等缺點(diǎn)。而采用LED燈體積小、重量輕，環(huán)氧樹脂封裝，可承受高強(qiáng)度機(jī)械沖擊和震動(dòng)，不易破碎，平均壽命達(dá)10 萬(wàn)h。

2.2.3 安全可靠性強(qiáng)

發(fā)熱量低，無(wú)熱輻射，冷光源，可以安全觸摸;能精確控制光型及發(fā)光角度，光色柔和，無(wú)眩光;不含汞、鈉元素等可能危害健康的物質(zhì)。內(nèi)置微處理系統(tǒng)可以控制發(fā)光強(qiáng)度，調(diào)整發(fā)光方式，實(shí)現(xiàn)光與藝術(shù)結(jié)合。

2.2.4 有利于環(huán)保

LED為全固體發(fā)光體，耐震、耐沖擊不易破碎，廢棄物可回收，沒(méi)有污染。光源體積小，可以隨意組合，易開發(fā)成輕便薄短小型照明產(chǎn)品，也便于安裝和維護(hù)。

3 應(yīng)用前景

篇8

組長(zhǎng)：吳曉平

成員：何艷霞

張 莉

董藍(lán)娟

關(guān)春燕

張瑞芳

鄭芳麗

頓 丹

郭 露

談判背景資料：

天津半導(dǎo)體工廠欲改造其生產(chǎn)線，需要采購(gòu)設(shè)備、備件和技術(shù)。適合該廠的供應(yīng)商在美國(guó)，日本各地均可找到兩家以上。正在此時(shí)，香港某生產(chǎn)商的推銷人員去天津訪問(wèn)，找到該廠采購(gòu)人員表示可以為該廠提供所需的設(shè)備和技術(shù)。由于香港客商講中文，又是華人，很快關(guān)系就熟悉了。工廠表示了采購(gòu)意向，但由于香港生產(chǎn)商的知名度較低，天津半導(dǎo)體工廠對(duì)其產(chǎn)品一直存有疑慮，于是答應(yīng)安排一次談判，對(duì)相關(guān)事宜進(jìn)行商談。我們第五組在主談人員吳曉平的帶領(lǐng)下，與第六組即香港供應(yīng)商進(jìn)行談判。下面是我們?cè)谂c其談判前做的調(diào)查工作： 公司企業(yè)背景資料：

天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司是一家集科研、生產(chǎn)、經(jīng)營(yíng)、創(chuàng)投于一體的國(guó)有控股高新技術(shù)企業(yè)，擁有獨(dú)特的半導(dǎo)體材料-節(jié)能型半導(dǎo)體器件和新能源材料-新能源器件雙產(chǎn)業(yè)鏈。該公司是在深圳證券交易所上市的公眾公司，股票代碼002129。注冊(cè)資本482,829,608元，總資產(chǎn)達(dá)20.51 億。年銷售額超過(guò)2億元,產(chǎn)品行銷全國(guó)并遠(yuǎn)銷海外18個(gè)國(guó)家和地區(qū)。高壓硅堆產(chǎn)銷量居世界第1位，國(guó)際市場(chǎng)占有率達(dá)到43%，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率達(dá)到57%。微波爐用高壓硅堆國(guó)際市場(chǎng)占有率達(dá)到55%。 在單晶硅材料領(lǐng)域，形成了以直拉硅棒、區(qū)熔硅棒、直拉硅片、區(qū)熔硅片為主的四大產(chǎn)品系列，是中國(guó)硅單晶品種最齊全的廠家之一, 區(qū)

熔硅單晶的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率在65%以上，產(chǎn)量和市場(chǎng)占有率已連續(xù)5年居國(guó)內(nèi)同行業(yè)首位，產(chǎn)銷規(guī)模居世界第三位 ， 公司現(xiàn)有專利技術(shù)15項(xiàng)，專有技術(shù)200多項(xiàng)，形成了一系列自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。公司致力于半導(dǎo)體節(jié)能和新能源產(chǎn)業(yè)，是一家集半導(dǎo)體材料-新能源材料和節(jié)能型半導(dǎo)體器件-新能源器件科研、生產(chǎn)、經(jīng)營(yíng)、創(chuàng)投于一體的國(guó)有控股企業(yè)，擁有全球獨(dú)特的雙產(chǎn)業(yè)鏈，是天津市高新技術(shù)企業(yè)，擁有1個(gè)博士后科研工作站、2家省部級(jí)研發(fā)中心。 且憑借獨(dú)特的產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢(shì)、持續(xù)不斷的技術(shù)創(chuàng)新能力和友好的商業(yè)界面，進(jìn)一步完善以節(jié)能型產(chǎn)品和新能源產(chǎn)品為導(dǎo)向的產(chǎn)業(yè)格局，為股東、合作伙伴、員工創(chuàng)造最大價(jià)值，實(shí)現(xiàn)企業(yè)、社會(huì)、環(huán)境的可持續(xù)發(fā)展。

、市場(chǎng)環(huán)境調(diào)研：

自20xx年天津?yàn)I海新區(qū)納入國(guó)家xx規(guī)劃和國(guó)家發(fā)展戰(zhàn)略，并批準(zhǔn)濱海新區(qū)為國(guó)家綜合配套改革試驗(yàn)區(qū)，天津的經(jīng)濟(jì)重新展現(xiàn)出活力，并被譽(yù)為中國(guó)經(jīng)濟(jì)第三增長(zhǎng)極20xx年3月22日國(guó)務(wù)院常務(wù)會(huì)議，將天津完整定位為國(guó)際港口城市、北方經(jīng)濟(jì)中心、生態(tài)城市 ，從此京津之間的北方經(jīng)濟(jì)中心之爭(zhēng)，終于落下帷幕。20xx年起，開始落戶天津舉辦，匯聚了數(shù)千全球政界、商界和學(xué)界精英人士參與討論世界經(jīng)濟(jì)議題，而夏季達(dá)沃斯論壇的永久會(huì)址位于建設(shè)中的北塘國(guó)際會(huì)議中心。截至20xx年，世界500強(qiáng)跨國(guó)公司已有150家在天津落地生根，投資項(xiàng)目共396個(gè)，合同外資額達(dá)81億美元。[10] 中國(guó)社會(huì)科學(xué)院在

二、市場(chǎng)需求調(diào)研：

由于城鎮(zhèn)居民收入水平大幅提高，居民消費(fèi)水平也顯著提高。20xx年天津市人均消費(fèi)支出11,141元，比20xx年增長(zhǎng)了57.5%。城鎮(zhèn)居民的消費(fèi)結(jié)構(gòu)正在向享受型和發(fā)展型轉(zhuǎn)變，故人們的消費(fèi)觀念也會(huì)隨之提高，對(duì)高檔品的需求會(huì)越來(lái)越高，所以該產(chǎn)品市場(chǎng)需求空間很大。

三、市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)狀況：

公司單晶硅品種齊全，其中區(qū)熔系列單晶硅產(chǎn)品產(chǎn)銷規(guī)模全球排名第三、國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額超過(guò)70%，產(chǎn)量和市場(chǎng)占有率已連續(xù)多年居國(guó)內(nèi)同行業(yè)首位;直拉單晶及硅片技術(shù)和產(chǎn)銷規(guī)模方面居國(guó)內(nèi)前列;拋光片產(chǎn)業(yè)采用國(guó)際一流的新技術(shù)、新工藝流程，獨(dú)立開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的大直徑硅拋光片生產(chǎn)技術(shù)，研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化水平處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先位置;太陽(yáng)能硅材料產(chǎn)業(yè)經(jīng)過(guò)產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)驗(yàn)證，與國(guó)內(nèi)同行業(yè)相比單位兆瓦直拉晶體生長(zhǎng)投資下降了33%以上，生產(chǎn)效率提高了60%以上，生產(chǎn)成本降低了25%以上;半導(dǎo)體整流器件產(chǎn)業(yè)經(jīng)過(guò)多年技術(shù)創(chuàng)新的積淀，掌握了從芯片到封裝的全套核心技術(shù);節(jié)能型半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)在凈化間設(shè)計(jì)、動(dòng)力配套、裝備水平、產(chǎn)品品種、產(chǎn)品技術(shù)方面均處于國(guó)內(nèi)同行業(yè)領(lǐng)先水平。所以該公司潛力很大，能為它提供設(shè)備和技術(shù)的供應(yīng)商有很多。如：1)羅姆(ROHM)半導(dǎo)體集團(tuán)是全球著名半導(dǎo)體廠商之一，創(chuàng)立于1958年，是總部位于日本京都市的跨國(guó)集團(tuán)公司。品質(zhì)第一是羅姆的一貫方針。我們始終將產(chǎn)品質(zhì)量放在第一位。歷經(jīng)半個(gè)多世紀(jì)的發(fā)展，羅姆的生產(chǎn)、銷售、研發(fā)網(wǎng)絡(luò)遍及世界各地。產(chǎn)

品涉及多個(gè)領(lǐng)域，其中包括IC、分立半導(dǎo)體、光學(xué)半導(dǎo)體、被動(dòng)元件以及模塊產(chǎn)品。在世界電子行業(yè)中，羅姆的眾多高品質(zhì)產(chǎn)品得到了市場(chǎng)的許可和贊許，成為系統(tǒng)IC和最新半導(dǎo)體技術(shù)方面首屈一指的主導(dǎo)企業(yè)。羅姆十分重視中國(guó)市場(chǎng)，已陸續(xù)在全國(guó)設(shè)立多家代表機(jī)構(gòu)，在大連和天津先后開設(shè)工廠，并在上海和深圳設(shè)立技術(shù)中心和品質(zhì)保證中心提供技術(shù)和品質(zhì)支持。在天津進(jìn)行晶體管、二極管、LED、半導(dǎo)體激光、LED顯示器的生產(chǎn)、在大連進(jìn)行電源模塊、熱敏打印頭、多線傳感頭、光電模塊的生產(chǎn)，作為羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)的主力生產(chǎn)基地，源源不斷地向中國(guó)國(guó)內(nèi)外提供高品質(zhì)產(chǎn)品。 2)美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司(National Semiconductor)簡(jiǎn)稱國(guó)半或者國(guó)家半導(dǎo)體，成立于1959年，是著名的模擬和混合信號(hào)半導(dǎo)體制造商，也是半導(dǎo)體工業(yè)的先驅(qū)。公司總部設(shè)在美國(guó)加州。國(guó)半公司致力于利用一流的模擬和數(shù)字技術(shù)為信息時(shí)代創(chuàng)造高集成度的解決方案。它的生產(chǎn)網(wǎng)點(diǎn)遍布全球，在美國(guó)德克薩斯州、緬因州和蘇格蘭建有晶片制造廠，在馬來(lái)西亞和新加坡建有檢驗(yàn)中心和裝配廠。美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體是先進(jìn)的模擬技術(shù)供應(yīng)商，一直致力促進(jìn)信息時(shí)代的技術(shù)發(fā)展。該公司將現(xiàn)實(shí)世界的模擬技術(shù)與先進(jìn)的數(shù)字技術(shù)結(jié)合一起，并利用這些集成技術(shù)致力開發(fā)各種模擬半導(dǎo)體產(chǎn)品，其中包括電源管理、圖像處理、顯示驅(qū)動(dòng)器、音頻系統(tǒng)、放大器及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換等方面的獨(dú)立式設(shè)備及子系統(tǒng)。該公司主要以無(wú)線產(chǎn)品、顯示器、個(gè)人計(jì)算機(jī)與網(wǎng)絡(luò)，及各種不同的便攜式產(chǎn)品為市場(chǎng)目標(biāo)。NS(美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司)是推動(dòng)信息時(shí)展的領(lǐng)先模擬技術(shù)公司。國(guó)半將真實(shí)世界的模擬技術(shù)和完美工藝的數(shù)字技術(shù)相結(jié)合，專注基于模擬技術(shù)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，包括電源管理、圖像技術(shù)、顯示驅(qū)動(dòng)器、音頻、放大器和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域的獨(dú)立元件和子系統(tǒng)。國(guó)半關(guān)鍵的目標(biāo)市場(chǎng)包括無(wú)線應(yīng)用、顯示器、PC、網(wǎng)絡(luò)和各種便攜式應(yīng)用。 3)天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司是從事半導(dǎo)體材料硅單晶、硅片的生產(chǎn)企業(yè)。擁有40余年的生產(chǎn)歷史和專業(yè)經(jīng)驗(yàn)，形成了以直拉硅單晶、區(qū)熔硅單晶、直拉硅片、區(qū)熔硅片為主的四大產(chǎn)品系列，是中國(guó)硅單晶品種最齊全的廠家之一。

四、企業(yè)內(nèi)部環(huán)境：

公司試驗(yàn)室具有SEM顯微鏡分析、X射線、SRP測(cè)試等高端分析設(shè)備和HTRB、PCT、熱電阻等可靠性試驗(yàn)設(shè)備，能夠滿足半導(dǎo)體產(chǎn)品的大部分可靠性測(cè)試試驗(yàn)。公司還擁有版圖設(shè)計(jì)、工藝與器件仿真等軟件平臺(tái)，可以提高新品開發(fā)的效率。功率器件事業(yè)部與國(guó)內(nèi)外多家原材料供應(yīng)商、光刻版制造公司、設(shè)計(jì)公司、封裝/測(cè)試公司、設(shè)備制造商，等建立了長(zhǎng)期的戰(zhàn)略合作關(guān)系，可以為產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)行新產(chǎn)品的試作、量產(chǎn)等提供豐富的資源和強(qiáng)有力的支持，大大縮短研發(fā)流片周期，提高研發(fā)效率;

公司的高壓硅堆優(yōu)勢(shì)明顯：1)CRT電視機(jī)及顯示器市場(chǎng)，公司市場(chǎng)占有率為60%，其余市場(chǎng)主要被日本富士電機(jī)公司、日本三肯公司、日本日立公司和江蘇皋鑫電子有限公司等公司占據(jù)，在該領(lǐng)域公司在技術(shù)和市場(chǎng)方面具有絕對(duì)優(yōu)勢(shì);

2)微波爐市場(chǎng)，公司占據(jù)了43%的市場(chǎng)份額;3)在CRT電視機(jī)、顯示器以外的市場(chǎng)，日本公司具有傳統(tǒng)形成的市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)。國(guó)內(nèi)主要同行廠家有：江蘇如皋皋鑫電子有限公司、樂(lè)山無(wú)線電股份有限公司、重慶平洋電子有限公司、鞍山市電子電力公司。而公司20xx年的年銷量達(dá)到7.3億支，超過(guò)以上四個(gè)同行廠家年銷量總和的一倍以上，規(guī)模優(yōu)勢(shì)明顯。

單晶硅及硅片：公司與同行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的優(yōu)勢(shì)主要表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：1)多

晶硅供應(yīng)有保障、區(qū)熔單晶硅具備全球意義的強(qiáng)大綜合競(jìng)爭(zhēng)力;2)直拉單晶硅具備國(guó)內(nèi)意義的較強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力;3)擁有具有重大商業(yè)價(jià)值的專利及專有技術(shù);5)產(chǎn)品品種齊全。公司與同行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的劣勢(shì)主要表現(xiàn)在產(chǎn)業(yè)規(guī)模小和資金投入少。

原料優(yōu)勢(shì)：從20xx年公司存貨中的原材料情況看，主要為多晶硅、硅片和單晶硅棒，三項(xiàng)合計(jì)3879.49萬(wàn)元，占原材料總額的77.18%。多晶硅、單晶硅、硅片是公司生產(chǎn)的重要原材料。近年來(lái)，硅材料市場(chǎng)價(jià)格上漲，供不應(yīng)求，擁硅為王已成業(yè)內(nèi)共識(shí)，自20xx年初，公司開始增加硅儲(chǔ)備。這是公司的一大明顯優(yōu)勢(shì)，但是也是一個(gè)短期優(yōu)勢(shì)。

但是面對(duì)嚴(yán)峻的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)狀況，該公司仍然面臨巨大的挑戰(zhàn)，需要居安思危，具備憂患意識(shí)才能勝出。

五、談判對(duì)象：

香港隆通設(shè)備有限公司，該公司剛成立不久，雖然可以提供我方所需的設(shè)備被和技術(shù)，但是知名度較低，公司的信譽(yù)和產(chǎn)品的質(zhì)量都有待調(diào)查和研究。香港隆通有限公司的優(yōu)勢(shì)是發(fā)展迅速，有很大的發(fā)展前景。

商務(wù)談判調(diào)研報(bào)告篇02：談判實(shí)習(xí)報(bào)告本次的商務(wù)談判實(shí)習(xí)，使我受益良多。首先就是讓我明白了一個(gè)團(tuán)隊(duì)的重要性，個(gè)人的發(fā)展離不開團(tuán)隊(duì)。其次，通過(guò)商務(wù)談判實(shí)習(xí)，使我對(duì)談判有了更深刻的理解，這也為以后打下了良好的基礎(chǔ)。最后，通過(guò)對(duì)商務(wù)談判的實(shí)習(xí)也更加磨練了自我，增加了個(gè)人經(jīng)歷和閱歷，學(xué)會(huì)了如何與團(tuán)隊(duì)合作與分享。

我在此次談判中所扮演的角色是河南第一建筑集團(tuán)有限責(zé)任工程的技術(shù)總監(jiān)。技術(shù)總監(jiān)一般負(fù)責(zé)一個(gè)企業(yè)的技術(shù)管理體系的建設(shè)和維護(hù)，制定技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和相關(guān)流程，能夠帶領(lǐng)和激勵(lì)自己的團(tuán)隊(duì)完成公司賦予的任務(wù)，實(shí)現(xiàn)公司的技術(shù)管理和支撐目標(biāo)，為公司創(chuàng)造價(jià)值!一個(gè)好的技術(shù)總監(jiān)不僅要自身具有很強(qiáng)的技術(shù)管理能力，同時(shí)，也要有很強(qiáng)的技術(shù)體系建設(shè)和團(tuán)隊(duì)管理的能力，要對(duì)企業(yè)所在行業(yè)具有深入理解，對(duì)行業(yè)技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)和管理現(xiàn)狀具有準(zhǔn)確的判斷。 同時(shí)作為一個(gè)技術(shù)總監(jiān)，我認(rèn)為不僅要對(duì)本公司的產(chǎn)品感興趣，非常了解，還要博覽其他公司的產(chǎn)品，不斷創(chuàng)新，努力奮斗，為公司作出更大的貢獻(xiàn)。

作為一個(gè)技術(shù)總監(jiān)，我在這幾天的實(shí)習(xí)過(guò)程中，通過(guò)對(duì)各個(gè)鋼鐵產(chǎn)品公司的產(chǎn)品與技術(shù)的對(duì)比，讓我明白了，作為一個(gè)技術(shù)總監(jiān)，對(duì)公司的產(chǎn)品富有重要責(zé)任，一個(gè)公司的產(chǎn)品質(zhì)量必須合格，技術(shù)人員必須認(rèn)真負(fù)責(zé)，技術(shù)的重要性對(duì)公司非常重要。同時(shí)也讓我明白了，溝通的重要性，一個(gè)優(yōu)秀的技術(shù)人員不僅需要過(guò)硬的技術(shù)，還必須有良好的溝通能力，協(xié)調(diào)各個(gè)部門，才能順利的發(fā)展產(chǎn)品，才能更好的研發(fā)出更好的產(chǎn)品。

本次談判讓我感觸最深的就是一個(gè)團(tuán)隊(duì)的合作精神。我們這個(gè)團(tuán)隊(duì)是一群有能力，有信念的人在特定在商務(wù)談判的團(tuán)隊(duì)中，為了一個(gè) 共同的目標(biāo)相互支持合作奮斗的。我們的團(tuán)隊(duì)可以調(diào)動(dòng)團(tuán)隊(duì)成員的所有資源和才智，并且會(huì)自動(dòng)地驅(qū)除所有不和諧現(xiàn)象。我們這個(gè)團(tuán)隊(duì)大家經(jīng)過(guò)努力迸發(fā)出強(qiáng)大的力量。我們談判組的總經(jīng)

理，財(cái)務(wù)總監(jiān)，采購(gòu)部部長(zhǎng)，總經(jīng)理助理，法律顧問(wèn)和技術(shù)總監(jiān)，大家這個(gè)團(tuán)隊(duì)努力合作，各有分工，且分工明確，通過(guò)大家不懈的努力，通過(guò)資料不斷的匯總，然后大家在一起不斷的修改，再努力，技術(shù)分析報(bào)告，采購(gòu)策劃書，合同等資料相互總結(jié)，最終形成了一份完美的談判策劃書。

我們這個(gè)團(tuán)隊(duì)充分發(fā)揚(yáng)了團(tuán)隊(duì)精神，通過(guò)實(shí)習(xí)讓我明白了團(tuán)隊(duì)精神的意義和重要性，在一個(gè)組織或部門之中，團(tuán)隊(duì)合作精神顯得尤為重要，在一個(gè)組織之中，很多時(shí)候，合作的成員不是我們能選擇得了的，所以，很可能出現(xiàn)組內(nèi)成員各方面能力參差不齊的情況，如果作為一個(gè)領(lǐng)導(dǎo)者，此時(shí)就需要很好的凝聚能力，能夠把大多數(shù)組員各方面的特性凝聚起來(lái)，同時(shí)也要求領(lǐng)導(dǎo)者要有很好地與不同的人相處與溝通的能力。要加強(qiáng)與他人的合作，首先就必須保證集體成員是忠誠(chéng)的，有責(zé)任心的，有意志力的，而且，還要有著對(duì)于自身團(tuán)隊(duì)的榮譽(yù)感，使命感。必須信任團(tuán)隊(duì)的所有成員，彼此之間要開誠(chéng)布公，互相交心，做到心心相印，毫無(wú)保留;要與團(tuán)隊(duì)的每一個(gè)成員緊密合作，直到整個(gè)團(tuán)體都能緊密合作為止;分析每一個(gè)成員完成工作的動(dòng)機(jī)，分析他們的能力，針對(duì)我們每個(gè)人的問(wèn)題，集思廣議，多聽聽大家的建議，同時(shí)，我們相互談?wù)?，談判工作上工作上?duì)大家有一定要求，做好團(tuán)隊(duì)成員之間的溝通和協(xié)調(diào)工作，使整個(gè)團(tuán)隊(duì)像一臺(tái)機(jī)器一樣，有條不紊地和諧運(yùn)轉(zhuǎn)。

篇9

中圖分類號(hào)：TB34

新材料研制和國(guó)家科學(xué)技術(shù)與生產(chǎn)力發(fā)展密切相關(guān)，同時(shí)也是國(guó)家經(jīng)濟(jì)發(fā)展根本保障之一。在世界范圍內(nèi)，新材料研制是國(guó)家計(jì)劃中的重點(diǎn)研究?jī)?nèi)容。本世紀(jì)正處于光電子時(shí)代，而光電信息功能材料不但有電子材料穩(wěn)定性特點(diǎn)，還有光子材料先進(jìn)性特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電子時(shí)代，發(fā)展前景極好。

1 概述光電信息功能材料

信息科學(xué)發(fā)展進(jìn)程中，材料研究作為技術(shù)發(fā)展先導(dǎo)，是發(fā)現(xiàn)與完善現(xiàn)代化科學(xué)規(guī)律重要基礎(chǔ)。人們從量子論發(fā)展中得到原子中電子物理運(yùn)動(dòng)規(guī)律，特別是最外層的電子運(yùn)動(dòng)規(guī)律，最先研究的功能材料是金屬，例如：不銹鋼、有色金屬、黑色金屬和特殊鋼材等，并且電子層次微觀物理逐漸應(yīng)用量子論。

其次，半導(dǎo)體材料開發(fā)和利用，電力材料的技術(shù)科學(xué)發(fā)展地位有所提高，研究功能材料是科學(xué)發(fā)現(xiàn)的前提保障，同時(shí)也是技術(shù)開發(fā)的物質(zhì)基礎(chǔ)，在整個(gè)科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域中都有所體現(xiàn)。并且由于新興起來(lái)的光纖技術(shù)，將激光技術(shù)和光纖技術(shù)結(jié)合使用，為發(fā)展信息技術(shù)奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。正是由于光存儲(chǔ)和光集成技術(shù)，光電信息功能材料研究范圍越來(lái)越廣，走入到微觀物理層次，覆蓋包括無(wú)機(jī)和有機(jī)、金屬和非金屬、靜態(tài)和非靜態(tài)科學(xué)技術(shù)，將計(jì)算機(jī)應(yīng)用在信息高智能存儲(chǔ)，傳輸與處理方面，使得信息技術(shù)發(fā)展迅速。

2 光電信息功能材料研究重點(diǎn)

2.1 半導(dǎo)體光電材料

半導(dǎo)體介于絕緣體和導(dǎo)體之間的一種材料，半導(dǎo)體光電材料可將電能轉(zhuǎn)化為光，將光轉(zhuǎn)化為電，也可處理和擴(kuò)大光電信號(hào)。21世紀(jì)上半葉至今，半導(dǎo)體量子和異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料仍然把光電信息功能材料作為研發(fā)主要內(nèi)容。

2.1.1 硅微電子材料。微電子技術(shù)基礎(chǔ)是集成電路為主要核心的半導(dǎo)體器件，是一種高新電子技術(shù)。半導(dǎo)體光伏太陽(yáng)能電池和集成電路主原材料，是新能源與信息基礎(chǔ)。隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和光伏產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展，我國(guó)硅材料規(guī)模迅速壯大和發(fā)展。并且，硅微電子信息功能材料與現(xiàn)代化信息時(shí)代相聯(lián)系，其具有質(zhì)量輕、可靠性高和體積小等特點(diǎn)。半導(dǎo)體硅微光電信息功能材料，可提高硅集成電路使用性能成品率，但是從成本角度分析，解決硅片直徑的增大問(wèn)題形成了一系列缺陷密度與均勻性變差。并且，從半導(dǎo)體器件特征性尺寸角度；硅集成角度來(lái)看，硅材料是未來(lái)研制方向。在鍺化硅材料生長(zhǎng)應(yīng)變硅材料技術(shù)基礎(chǔ)上，其可提高器件驅(qū)動(dòng)的電流和晶體管速度，其廣泛應(yīng)用性可能會(huì)替代65nm以下的互補(bǔ)性金屬氧化物的半導(dǎo)體電路主流技術(shù)。在硅材料技術(shù)應(yīng)用的同時(shí)，人們也在研制雙柵-多柵器件、高K柵介質(zhì)、銅互連技術(shù)和應(yīng)變溝道技術(shù)。目前，硅微電子技術(shù)難以滿足龐大市場(chǎng)需求和信息量，需要在全新原理材料、電路技術(shù)和器件技術(shù)深入研究，例如：納米電子技術(shù)、光計(jì)算機(jī)技術(shù)和量子信息技術(shù)。

2.1.2 量子級(jí)聯(lián)的激光器材料。在通信和移動(dòng)通信領(lǐng)域，廣泛使用超晶格和量子阱材料，量子阱材料集分子束外延和量子工程為一體，打破了半導(dǎo)體使用限制性，真正體現(xiàn)出了國(guó)家納米級(jí)量子器件的核心技術(shù)。并且其發(fā)展到現(xiàn)在，QCL在遠(yuǎn)紅光外源、紅外對(duì)抗、遙控化學(xué)和自由空間內(nèi)通信等較為突出。QCL高新技術(shù)研究面也更加廣闊，其中，可調(diào)諧中紅外激光器在國(guó)外步入工業(yè)化階段。

2.1.3 光子帶隙功能材料。光子帶隙材料常稱為光子晶體，其具有介電函數(shù)、周期性變化調(diào)制材料的光子狀態(tài)運(yùn)行模式。根據(jù)周期性的空間排列規(guī)則和特點(diǎn)，光子晶體分為一維、二維與三維形式。重點(diǎn)分析二維光子晶體，半導(dǎo)體薄片堆層其可以進(jìn)一步制出硅基二維光子晶體和高品質(zhì)因數(shù)光子微腔含單量子點(diǎn)砷化鎵基二維光子晶體微腔，有較廣闊的應(yīng)用空間。例如：借助于圈內(nèi)反射可限制光電在晶體內(nèi)的反應(yīng)，也就是光子晶體反應(yīng)，以便控制光色散；其次，光子晶體可制作出計(jì)算機(jī)芯片，計(jì)算機(jī)的運(yùn)行和運(yùn)算速度均有所提高。對(duì)于三維光子晶體，特別是可見光的三維光子晶體和近紅外波受到一定條件限制，因此，制備工藝較難。

2.2 納米光電功能材料

所謂納米材料，其是粒子尺寸介于1-100納米材料。納米光電功能材料是將光能轉(zhuǎn)化成化學(xué)能或電能一種納米行材料，其發(fā)展前景廣闊，性能好，被廣泛應(yīng)用于光存儲(chǔ)、光通信、光電探測(cè)器和全光網(wǎng)絡(luò)等方面。

尺度位于宏觀物體和原子簇交接區(qū)域，納米材料有小尺寸效應(yīng)、表面效應(yīng)、宏觀量子隧道效應(yīng)和量子尺寸效應(yīng)，產(chǎn)生點(diǎn)穴、光學(xué)、化學(xué)、熱血和磁學(xué)特征等，其中，表面效應(yīng)屬于納米光電材料重要特征之一，粒子性能決定性因素是表面原子，當(dāng)表面原子數(shù)量增加到一定范圍內(nèi)，原子數(shù)量越多，缺陷程度就會(huì)越大，納米光電材料活性就越高。正是由于量子尺寸影響電學(xué)性質(zhì)，納米材料才會(huì)比一般性的光電材料光催化活性高。

2.3 光折變功能材料

光折變功能材料光照條件下會(huì)吸收光子，使電荷發(fā)生轉(zhuǎn)移，形成一定的空間電場(chǎng)，進(jìn)而借助于電光效應(yīng)改變折射率。這種光電材料需要低功率就可以在室溫下進(jìn)行光學(xué)信息處理和運(yùn)算，因此有很好的發(fā)展前景。人們對(duì)光折變材料進(jìn)行高密度數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)、空間光調(diào)制、光放大、光學(xué)圖像處理和干涉測(cè)量等研究，并隨著對(duì)光折變效應(yīng)深入了解和發(fā)現(xiàn)新型材料，使得光折變材料應(yīng)用范圍更加廣泛。

3 光電信息功能材料制備方法

光電信息功能材料根據(jù)性能與尺寸的不同要求，因此包括有很多制備方法。常見的制備方法有：高溫固相反應(yīng)、濺射法、Sol-gel、PCVD、CVD等。

3.1 微波反應(yīng)燒結(jié)

我國(guó)通過(guò)微波輻射法合成物質(zhì)有硅酸鹽、氧化物、硫化物、磷酸鹽、鎢酸鹽和硼酸鹽等熒光體，利用各種物質(zhì)選擇光激勵(lì)，從而實(shí)現(xiàn)了溫室光譜燒孔。

3.2高溫固相反應(yīng)

高溫固相反應(yīng)是使用最廣泛的制備新型固體功能材料方式，我國(guó)上海硅酸鹽研究所使用提拉法技術(shù)生產(chǎn)出閃爍BGO晶體，歐洲核子研究所用晶體制造出正負(fù)電子撞機(jī)電磁量能器，出口總量高達(dá)千萬(wàn)美元，經(jīng)濟(jì)效益很好。

3.3 濺射法

濺射鍍膜法通過(guò)直流或者是高頻電場(chǎng)讓惰性氣體形成電離反應(yīng)，此過(guò)程產(chǎn)生輝光放電離子體，其正離子與電子對(duì)靶材進(jìn)行高速轟擊，濺射出靶材分子和原子，從而將這兩種物質(zhì)沉積在基材上，形成薄膜。

3.4 CVD（熱分解化學(xué)氣相沉積技術(shù)）

CVD主工藝過(guò)程是借助于過(guò)載氣輸送反應(yīng)物到反應(yīng)器中，并在一定反應(yīng)條件下，發(fā)生一定的化學(xué)反應(yīng)，形成顆粒大小的納米。隨著反應(yīng)基質(zhì)粒子和納米顆粒共同沉積到基片上，形成一層薄膜。薄膜形式有：反應(yīng)氣體和氣體擴(kuò)散吸附于生長(zhǎng)、擴(kuò)散和揮發(fā)沉底表面，這種方法可制備出氟化物、氧化物和碳化物等納米復(fù)合型薄膜。

4 結(jié)束語(yǔ)

光電信息功能材料開發(fā)與研究需要通過(guò)量子物理支撐，目前其限定于光子、電子、電波和光波為主要信息載體，對(duì)研究量子物理，分析光電信息功能材料有重要作用。

參考文獻(xiàn)：

[1]王藜蓓，陳芬，周亞訓(xùn).集中光電信息功能材料的研究進(jìn)展[J].新材料產(chǎn)業(yè)，2011（05）.

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【中圖分類號(hào)】U472 【文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼】A 【文章編號(hào)】2095-3089（2012）04-0117-01

一、開設(shè)新專業(yè)的指導(dǎo)思想

在職業(yè)院校開設(shè)新的專業(yè)，應(yīng)以市場(chǎng)為導(dǎo)向，以社會(huì)需求為準(zhǔn)則，充分發(fā)揮地方資源優(yōu)勢(shì)和人才培養(yǎng)優(yōu)勢(shì)。積極地探尋市場(chǎng)、發(fā)現(xiàn)市場(chǎng)，把供需鏈條緊緊連在一起。在北京市同層次院校的專業(yè)中，做到人無(wú)我有，人有我強(qiáng)，人強(qiáng)我特，形成品牌，形成特色。專業(yè)設(shè)置逐步從“條件驅(qū)動(dòng)”型向“發(fā)展需求驅(qū)動(dòng)”型轉(zhuǎn)變，即根據(jù)社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展需求確定專業(yè)設(shè)置。從強(qiáng)調(diào)我能做什么，能培養(yǎng)什么樣的人才，轉(zhuǎn)變?yōu)閺?qiáng)調(diào)需要我做什么，需要培養(yǎng)什么樣的人才。本著以上指導(dǎo)思想，現(xiàn)提出開設(shè)微電子技術(shù)與器件專業(yè)的一些方案設(shè)想。

二、市場(chǎng)需求分析

微電子技術(shù)與器件專業(yè)，其就業(yè)導(dǎo)向涵蓋了集成電路和半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)。根據(jù)首都“十一五”電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃，集成電路、TFT?鄄LCD、計(jì)算機(jī)及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、移動(dòng)通信產(chǎn)業(yè)、數(shù)字電視產(chǎn)業(yè)、半導(dǎo)體照明材料產(chǎn)業(yè)和智能交通及汽車電子產(chǎn)業(yè)等7個(gè)產(chǎn)業(yè)是信息產(chǎn)業(yè)下一步發(fā)展的重點(diǎn)領(lǐng)域。其中集成電路排在了第一位，半導(dǎo)體照明材料排在了第六位。早在2000年，北京市委、市政府就首次向全球宣布：北京將建設(shè)中國(guó)北方微電子產(chǎn)業(yè)基地。從那時(shí)到現(xiàn)在，北京集成電路產(chǎn)業(yè)走過(guò)了蓬勃興起的10年，初步建立起了集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試以及裝備材料互動(dòng)協(xié)調(diào)發(fā)展的良好格局，確立了北京在全國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)中的重要地位。

以2010年為例，該年北京集成電路產(chǎn)業(yè)全產(chǎn)業(yè)鏈實(shí)現(xiàn)銷售收入245億元，比2009年增長(zhǎng)了31%，產(chǎn)業(yè)規(guī)模是2000年的20倍左右，占全國(guó)的17%。在北京市，電子信息產(chǎn)業(yè)產(chǎn)品銷售收入排名位居全市工業(yè)第一，占全市工業(yè)23%，而集成電路產(chǎn)業(yè)全產(chǎn)業(yè)鏈的銷售就占了近四分之一。

目前，北京有各類集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)約80多家，年總銷售收入約90億元，占全國(guó)的1/4。集成電路制造企業(yè)3-4（大型）家，實(shí)現(xiàn)總銷售收入約60億元，約占全國(guó)14%。集成電路封裝測(cè)試企業(yè)2-3家（大型），實(shí)現(xiàn)總銷售收入約90億元，約占全國(guó)15%。集成電路裝備制造企業(yè)3-4家（大型），實(shí)現(xiàn)銷售20多億元，多項(xiàng)裝備在全國(guó)處于領(lǐng)先地位。另外，還建有生產(chǎn)集成電路關(guān)鍵原料的硅材料科研、生產(chǎn)基地。

當(dāng)前，北京集成電路產(chǎn)業(yè)正迎來(lái)跨越式發(fā)展的新機(jī)遇。國(guó)務(wù)院2011年4號(hào)文為集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供優(yōu)越的外部環(huán)境。相信要不了多久北京就會(huì)建成具有全球影響力的集成電路產(chǎn)業(yè)基地。

政府的大力支持，堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，廣闊的發(fā)展前景，優(yōu)惠的國(guó)家政策，可以說(shuō)集成電路產(chǎn)業(yè)在北京具有得天獨(dú)厚的條件。產(chǎn)業(yè)的發(fā)展必然伴隨著人才的巨大需求，雖然集成電路產(chǎn)業(yè)是知識(shí)和資金密集型產(chǎn)業(yè)，但它同樣需要大量應(yīng)用型技術(shù)人才。比如集成電路設(shè)計(jì)，需要大量的程序錄入和輔助支持技術(shù)人員；集成電路制造，需要大量的高科技設(shè)備儀器操作員、工藝技術(shù)員、質(zhì)量檢驗(yàn)員和設(shè)備維護(hù)技術(shù)人員；集成電路封裝測(cè)試，同樣需要大量的高科技設(shè)備儀器操作員、工藝技術(shù)員、質(zhì)量檢驗(yàn)員和設(shè)備維護(hù)技術(shù)人員。另外，半導(dǎo)體硅材料及單晶硅片的生產(chǎn)等，都需要大量的應(yīng)用型技術(shù)人才。

三、可行性分析

在我院設(shè)置微電子技術(shù)與器件專業(yè)具有非常好的條件并且可行，其理由主要有以下幾個(gè)方面：

1.我院在中專學(xué)校升高職院校之前，南校區(qū)就有這個(gè)專業(yè)。因此，在師資力量、教學(xué)資源、實(shí)訓(xùn)資源、招生分配等方面都有一定的基礎(chǔ)和經(jīng)驗(yàn)，設(shè)置微電子技術(shù)與器件專業(yè)可以說(shuō)是駕輕就熟。

2.該專業(yè)的設(shè)置符合國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策，契合北京“十一五”電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃，因此，獲得上級(jí)單位批準(zhǔn)的幾率大。

3.在北京“十一五”電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃中，7個(gè)重點(diǎn)發(fā)展領(lǐng)域，集成電路產(chǎn)業(yè)排第一，半導(dǎo)體照明材料產(chǎn)業(yè)排第六，因此，設(shè)置該專業(yè)可獲得國(guó)家和北京市資金的大力支持。

4.分配就業(yè)前景良好，正如市場(chǎng)需求分析中所提到的，集成電路產(chǎn)業(yè)在整個(gè)電子信息產(chǎn)業(yè)已經(jīng)占到了四分之一左右，而且，今后將跨越式發(fā)展，必然需要大量的應(yīng)用型技術(shù)人才，因此，該專業(yè)畢業(yè)學(xué)生的就業(yè)前景良好。

四、困難及解決途徑

在我院設(shè)置微電子技術(shù)與器件專業(yè)也會(huì)遇到一些困難，仔細(xì)分析有以下幾個(gè)方面：

1.生源問(wèn)題。微電子技術(shù)與器件這一名稱，屬于比較新的科技名詞，一般人在日常生活中很少接觸，理解起來(lái)有一定困難，不知道這一專業(yè)到底學(xué)什么，畢業(yè)后干什么。因此，會(huì)出現(xiàn)專業(yè)招生困難，或招不到相對(duì)高素質(zhì)的學(xué)生。

解決辦法：一是改專業(yè)名稱，起一個(gè)即通俗易懂，又能代表專業(yè)含義的名稱，這有一定困難。二是加強(qiáng)宣傳，在招生時(shí)，宣傳材料、現(xiàn)場(chǎng)解說(shuō)、視頻資料等全方位進(jìn)行，使考生了解北京市的產(chǎn)業(yè)政策和就業(yè)前景，提高對(duì)該專業(yè)的認(rèn)知度。

2.實(shí)訓(xùn)問(wèn)題。微電子技術(shù)與器件專業(yè)的實(shí)訓(xùn)環(huán)節(jié)比較困難，我們知道現(xiàn)在強(qiáng)調(diào)實(shí)訓(xùn)模擬真實(shí)場(chǎng)景，而集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的工序非常多，每一道工序的設(shè)備儀器都非常昂貴，動(dòng)則幾百萬(wàn)，建立校內(nèi)實(shí)訓(xùn)基地，場(chǎng)地和資金都是問(wèn)題。

解決辦法：一是計(jì)算機(jī)模擬，現(xiàn)在多媒體教學(xué)設(shè)備完善，各種模擬軟件很多，通過(guò)購(gòu)買和教師制作等方式來(lái)模擬實(shí)際工藝，替代昂貴的真實(shí)設(shè)備儀表。二是下廠實(shí)訓(xùn)，校企合作辦學(xué)是學(xué)院發(fā)展的方向，我院有良好的基礎(chǔ)和得天獨(dú)厚的條件，北京分布著眾多的集成電路設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、測(cè)試企業(yè)可供我們選擇實(shí)習(xí)參觀，而且，我院已經(jīng)和許多這方面的企業(yè)簽有校外實(shí)訓(xùn)基地協(xié)議，如中國(guó)電子集團(tuán)微電子所，北京飛宇微電子科技有限公司，中國(guó)科學(xué)院微電子所，燕東微電子有限公司等。我院應(yīng)充分利用這一優(yōu)勢(shì)，解決微電子技術(shù)與器件專業(yè)的實(shí)訓(xùn)問(wèn)題。

參考文獻(xiàn):